光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC

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起止时间:2020-04-13到2020-06-30
更新状态:已完结

第2章 光电探测器理论基础 光电探测器理论基础自测

1、 被光激发产生的电子溢出物质表面,形成真空中的电子的现象叫做()

A:内光电效应
B:外光电效应
C:光生伏特效应
D:丹培效应
答案: 外光电效应

2、 半导体()电子吸收光子能量跃迁入(),产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。

A:价带,导带
B:价带,禁带
C:禁带,导带
D:导带,价带
答案: 价带,导带

3、 一个电阻值为1000欧姆的电阻,在室温下,工作带宽为1Hz时,热噪声均方电压为()

A:3nV
B:4nV
C:5nV
D:6nV
答案: 4nV

4、 已知一束激光功率为30mW、波长为0.6328um,普朗克常数则该激光束的光子流速率N为()

A:‍光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第1张个/秒
B:‍光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第2张个/秒
C:‍光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第3张个/秒
D:‍光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第4张个/秒
答案: 光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第1张个/秒

5、 某半导体光电器件的长波限为13um,其杂质电离能‍光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第6张为()

A:0.095J‍
B:0.095eV‍
C:光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第7张J
D:光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第7张eV
答案: 0.095eV‍

6、 已知甲、乙两厂生产的光电器件在色温2856K标准钨丝灯下标定出的灵敏度分别为‍光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第9张,‍光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第10张,则甲乙两厂中光电器件灵敏度比较结果正确的是()

A:甲厂灵敏度高
B:乙厂灵敏度高
C:甲乙两场灵敏度一样高
D:无法比较
答案: 乙厂灵敏度高

7、 光电发射材料光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第11张的光电发射长波限为680nm,该光电发射材料的光电发射阈值的大小为()

A:光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第12张
B:光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第13张
C:1.82J‍
D:1.83eV‍
答案: 1.83eV‍

8、 已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4um,则该材料的禁带宽度为()

A:0.886J
B:0.886eV
C:886J
D:886eV
答案: 0.886eV

9、 对于P型半导体来说,以下说法正确的是()

A:电子为多子
B:空穴为少子
C:能带图中施主能级靠近于导带底
D:能带图中受主能级靠近于价带顶
答案: 能带图中受主能级靠近于价带顶

10、 有关半导体对光的吸收,下列说法正确的是()

A:半导体对光的吸收主要是本征吸收
B:半导体对光的吸收主要是非本征吸收
C:产生本征吸收的条件是入射光子的波长要大于波长阈值
D:产生本征吸收的条件是入射光子的频率要小于频率阈值
答案: 半导体对光的吸收主要是本征吸收

11、 对于N型半导体来说,以下说法正确的是()

A:费米能级靠近导带底‍
B:空穴为多子
C:电子为少子
D:费米能级靠近靠近于价带顶
答案: 费米能级靠近导带底‍

12、 一束功率为30mW、波长为0.6328um的激光束的光子流速率N为()

A:光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第14张个/秒
B:‍光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第15张个/秒
C:‍光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第16张个/秒
D:光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第17张个/秒
答案: 光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第14张个/秒

13、 某一金属光电发射体有2.5eV的逸出功,并且导带底在真空能级下位7.5eV,则产生光电效应的长波限()

A:0.496um
B:0.496nm
C:0.248um
D:0.248um
答案: 0.496um

14、 某型号硅APD光敏面直径为0.5mm,等效噪声功率为光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第19张,电流灵敏度为77A/W,求该光电探测器的比探测率()

A:光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第20张
B:光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第21张
C:光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第22张
D:光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第23张
答案: 光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第20张

15、 探测器的光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第25张,探测器光敏面积的直径为0.5cm,用于光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第26张的光电仪器中,它能探测的最小辐射功率为()

A:光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第27张
B:光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第28张
C:‍光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第29张
D:‍光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第30张
答案: 光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第27张

16、 温度为300K时光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第32张的电阻工作在100Hz带宽内产生的均方噪声电流为()

A:光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第33张
B:光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第34张
C:光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第35张
D:光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第36张
答案: 光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第34张

17、 温度为300K时光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第32张的电阻工作在100Hz带宽内产生的均方噪声电压为()

A:光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第39张
B:光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第40张
C:光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第41张
D:光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第42张
答案: 光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第41张

18、 已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4um,该材料的禁带宽度为()

A:0.886(eV)
B:8.86(eV)
C:88.6(eV)‍
D:光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第44张
答案: 0.886(eV)

19、 光电发射材料‍光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第11张的光电发射长波限为680nm,该光电发射材料的光电发射阈值为()

A:1.82(eV)
B:18.2(eV)
C:光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第46张
D:0.182(eV)
答案: 1.82(eV)

20、 已知本征硅材料的禁带宽度光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第47张,半导体材料的本征吸收长波限为()

A:1.216(um)
B:光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第48张
C:1.03(um)
D:光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第49张
答案: 1.216(um)

21、 温度为300K的本征硅半导体掺入光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第50张的砷原子,计算掺杂后硅半导体电子浓度为()

A:光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第51张
B:光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第52张
C:光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第53张
D:光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第54张
答案: 光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第53张

22、 温度为300K的本征硅半导体掺入光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第56张的砷原子,计算掺杂后硅半导体空穴的浓度为()

A:光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第57张
B:光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第58张
C:光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第59张
D:光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第60张
答案: 光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第58张

23、 温度为300K的本征硅半导体载流子浓度为光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第62张,禁带宽度为1.12eV,计算掺入光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第63张硼原子后硅中电子浓度为()

A:光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第64张
B:光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第65张
C:光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第66张
D:光电测试技术(湖北工程学院)中国大学MOOC答案2024完整版WYC第67张

       


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