半导体物理(陕西科技大学)mooc慕课答案2026年版满分测试WYC

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起止时间:2020-02-27到2020-06-30
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W1-3半导体中杂质和缺陷能级 W1-测试

1、 室温下，Si晶体中两个最近的SI原子的间距大约为（）埃。

A:1
B:2
C:3
D:4
答案: 2

2、 室温下Ge晶体的导带底由（）个旋转椭球构成。

A:2
B:4
C:6
D:8
答案: 4

3、 Si晶体的第一布里渊区是个（）体。

A:立方体
B:正菱形12面体
C:截角8面体
D:球体
答案: 截角8面体

4、 费米-狄拉克分布函数预测：远远低于费米能级的位置其电子占据的几率趋向于（）

A:0
B:0.5
C:1
D:无穷大
答案: 1

5、 哪支能带的极值对应的电子有效质量最大？

A:1
B:2
C:3
D:无法判断
答案: 3

6、 空穴是一种假设出来的粒子。其有效质量为（），电荷为（）。

A:正，负
B:正，正
C:负，正
D:负，负
答案: 正，正

7、 Si晶体的导带底等能面是个旋转椭球面。其中，其横向有效质量（）纵向有效质量。

A:=
B:>
C:<
D:无法确定大小关系
答案: <

8、 随温度升高，Si的禁带宽度（）

A:不变
B:增加
C:减小
D:不清楚
答案: 减小

9、 Ga替位掺入Ge中，其将成为（）。

A:施主
B:受主
C:两性杂质
D:中性杂质
答案: 受主

10、 Si中常见点缺陷是（）缺陷。

A:弗伦克尔
B:肖特基
C:刃位错
D:螺位错
答案: 肖特基

11、 晶体Si是直接带隙半导体。

A:正确
B:错误
答案: 错误

W2-6非平衡载流子 W2-测试

1、 能态密度的单位可以是（）

A:个
B:个/平方厘米
C:个/eV
D:个/平方厘米-eV
答案: 个/eV

2、 Si晶体中，任一能级位置，不是被电子占据就是被空穴占据。

A:对
B:错
C:无法确定
D:都可以
答案: 对

3、 N型Si中，导电电子主要分布在

A:导带顶部
B:导带底部
C:价带顶部
D:价带底部
答案: 导带底部

4、 室温下，Si的本征载流子浓度约为（）cm-3.

A:1E9
B:1E10
C:1E11
D:1E12
答案: 1E10

5、 Si芯片的最高工作温度约为（）摄氏度。

A:150
B:200
C:250
D:300