模拟电子技术基础(武汉理工大学) 中国大学MOOC答案2024版100分完整版

6、 二极管的反向饱和电流在20摄氏度时是5微安，温度每升高10摄氏度，其反向饱和电流增大一倍，当温度为50摄氏度时，反向饱和电流值为（     ）微安。

答案: 40

7、 反映稳压二极管反向击穿特性的折线模型中，电阻反映的是稳压二极管反向电流与（         ）的比。

答案: 反向电压在一定范围内变化量

8、 向本征半导体内掺入五价元素产生的杂质半导体，（          ）。

答案: 内部多数载流子类型为自由电子;
外加电场作用下，多子的漂移电流与少子的漂移电流方向一致;
若失去产生的多子自由电子，杂质元素生成带正电的施主离子

9、 PN结的特性主要有（    ）。

答案: 单向导电性;
反向击穿特性;
电容特性;
低电压稳压特性

10、 以下关于半导体二极管说法正确的有（   ）。

答案: 半导体二极管外施正偏电压时，势垒区变窄;
半导体二极管正向偏置时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致;
常温下，锗二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V;
常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V

11、 以下二极管的简化模型中可用于估算二极管电路静态工作点的有（         ）。

答案: 理想模型;
折线模型;
恒压降模型

12、 以下（             ）是在选用和使用稳压二极管时需要重点考虑的参数。

答案: 最大反向工作电流;
额定功耗或最大耗散功率;
标称稳定电压;
最小反向工作电流;
反向击穿时的动态电阻

13、 平衡的PN结又称（    ）。

答案: 阻挡层;
耗尽层;
空间电荷区;
势垒

14、 本征半导体的本征激发使得自由电子与空穴成对出现，而复合又使得自由电子与空穴成对消失，所以整体而言，本征半导体内部无可以参与导电的载流子。

答案: 错误

15、 扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。

答案: 错误

16、 根据普通硅二极管的伏安特性，将1.5V的干电池以正偏方向接到二极管两端，就可以让管子正常工作。

答案: 错误

17、 二极管的理想模型只有对开关电路等进行定性分析的时候才适用。

答案: 错误

18、 稳压二极管的反向电流越大，动态电阻越小，稳压性能越好。

答案: 正确

19、 外电场作用下，半导体材料内部空穴的顺电场漂移运动实际上是临近共价键中的束缚电子的逆电场漂移运动。

答案: 正确

20、 在PN结两端加上电压，PN结内就有电荷的变化，说明PN结具有电容效应。其中外加反偏电压时，扩散电容起主要作用。

答案: 错误

21、 对二极管电路的静态分析与动态分析遵循先“静”后“动”原则。

答案: 正确

22、 二极管加正向电压时，其正向电流是由（       ）。

答案: 多数载流子扩散形成

23、 二极管整流电路利用的是二极管的（      ）特性。

答案: 单向导电性;
正向导通，反向截止的特性;
开关特性

24、 向本征半导体内掺入五价元素产生的杂质半导体，（          ）。

答案: 内部多数载流子类型为自由电子;
外加电场作用下，多子扩散电流与少子的漂移电流方向相反;
在产生多子自由电子的同时，生成带正电的施主离子

25、 以下关于半导体二极管说法正确的有（   ）。

答案: 半导体二极管正偏时，势垒区变窄;
半导体二极管正偏时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致;
常温下，锗二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V;
常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V

26、 因为普通硅二极管的伏安特性，将1.5V的干电池以正向接发接到二极管两端，就可以让管子正常导通。

答案: 错误

27、 外电场作用下，半导体材料内部空穴的顺电场漂移运动实际上是临近共价键中的（        ）逆电场漂移运动。
答案: (以下答案任选其一都对)束缚电子;
价电子

28、 在PN结两端加上电压，PN结内就有电荷的变化，说明PN结具有电容效应。其中外加反偏电压时，（        ）电容起主要作用。
答案: 势垒

29、 二极管的反向饱和电流在20摄氏度时时5微安，温度每升高10摄氏度，其反向饱和电流增大一倍，当温度为50摄氏度时，反向饱和电流值为（     ）微安。
答案: 40

30、 对二极管电路的静态分析与动态分析遵循（         ）原则。
答案: (以下答案任选其一都对)先静后动;
先“静”后“动”

31、 反映稳压二极管反向击穿特性的折现模型中，电阻反映的是稳压二极管反向电流与反向电压（         ）的比。
答案: (以下答案任选其一都对)变化量;
变化

第3章 场效应三极管及其放大电路 3_单元测验_JFET及其特性

小提示:本节包含奇怪的同名章节内容

1、 一个场效应管的转移特性曲线如图所示，指出它的类型，读出它的夹断电压Vp以及饱和漏电流IDSS。

答案: N-JFET，夹断电压Vp是- 4.5V ，饱和漏电流IDSS是  5.4mA  

2、 场效应管的转移特性曲线如图所示，确定这个场效应管的类型，并求其主要参数（开启电压或夹断电压）。测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S。

答案: 耗尽型PMOS管，夹断电压VP为2V

3、 VGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有

答案: N-JFET;
P-JFET;
耗尽型NMOS管;
耗尽型PMOS管

4、 如图所示各电路中，有可能工作在恒流区场效应管有

答案: （a）;
（d）

5、 结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。

答案: 正确

6、 一个场效应管转移特性如图所示，它是N沟JFET。

答案: 错误

7、 一个场效应管的转移特性曲线如图所示，指出它的类型，读出它的夹断电压以及饱和漏电流。

答案: N-JFET，夹断电压Vp是- 4.5V ，饱和漏电流IDSS是  5.4mA  

8、 时，能够工作在恒流区的场效应管有

答案: N-JFET;
P-JFET;
耗尽型NMOS管;
耗尽型PMOS管

9、 结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其大的特点。

答案: 正确

第3章 场效应三极管及其放大电路 3_单元测验_ MOSFET及其特性

1、 测得某放大电路中的一个MOS管的三个电极的电位，，，其开启电压。试分析管子的工作状态。

答案: 截止区

2、 测得某放大电路中的一个MOS管的三个电极的电位VS=6V，VG=0V，VD=5V，其开启电压VGS(th)=﹣4V。试分析管子的工作状态。

答案: 可变电阻区

3、 当工作于饱和区的场效应管，漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将

答案: 增大

4、 场效应管的转移特性曲线如图所示，确定这个场效应管的类型，并求其主要参数（开启电压或夹断电压）。测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S。

答案: 增强型PMOS，开启电压VTP=﹣2V

5、 场效应管的转移特性曲线如图所示，确定这个场效应管的类型，并求其主要参数（开启电压或夹断电压）。测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S。

答案: 耗尽型NMOS的转移特性曲线，其夹断电压VP=﹣4V

6、 测得某放大电路中的一个MOS管的三个电极的电位VS=-5V，VG=1V，VD=3V，其开启电压VGS(th)=4V。试分析管子的工作状态。

答案: 恒流区;
饱和区;
线性工作区

7、 已知放大电路中一只MOS三个极S、G、D的电位分别为4V、8V、12V，管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种管子

答案: 增强型NMOS管;
耗尽型NMOS管

8、 若耗尽型N沟道MOS管的大于零，则其输入电阻会明显变小。

答案: 错误

9、 MOSFET输出特性曲线如图，它是P沟耗尽型MOSFET。

答案: 错误

第3章 场效应三极管及其放大电路 3_单元测试_放大电路的重要概念

1、 试分析如图所示电路对正弦波交流信号有无放大能力，直流通路能否安排静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路能否保证信号顺畅的输入输出。

答案: 无放大能力，直流通路不能保证静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路能保证信号顺畅的输入输出。

2、 试分析如图所示电路对正弦波交流信号有无放大能力，直流通路能否安排静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路能否保证信号顺畅的输入输出。

答案: 有放大能力，直流通路能保证静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路能保证信号顺畅的输入输出。

3、 试分析如图所示电路对正弦波交流信号有无放大能力，直流通路能否安排静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路能否保证信号顺畅的输入输出。

答案: 无放大能力，直流通路能保证静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路不能保证信号顺畅的输入输出。

4、 试分析如图所示电路对正弦波交流信号有无放大能力，直流通路能否安排静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路能否保证信号顺畅的输入输出。

答案: 有放大能力，直流通路能保证静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路能保证信号顺畅的输入输出。

5、 试分析如图所示电路对正弦波交流信号有无放大能力，直流通路能否安排静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路能否保证信号顺畅的输入输出。

答案: 无放大能力，直流通路不能保证静态工作点在线性放大区（恒流区），交流通路能保证信号顺畅的输入输出。

第3章 场效应三极管及其放大电路 3_单元测试_基本共源极放大电路组成

1、 测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=2V，VTN=1V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。

答案: 饱和区（恒流区、放大工作区）

2、 测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=1V，VGS=2V，VTN=1V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。

答案: 预夹断临界点

3、 测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=1V，VTN=1.5V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。

答案: 截止区

4、 测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-1V，VPN=-2V；其中VPN为耗尽型MOS管的夹断电压；试判断该管工作在什么区域。

答案: 恒流区（饱和区、放大工作区）

5、 测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=-3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。

答案: 恒流区（饱和区、放大工作区）

6、 测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作状态

答案: 截止

7、 测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=-3V，VGS=-1V，VTP=-1.5V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。

答案: 截止区

第3章 场效应三极管及其放大电路 3_单元测试_共源电路的图解分析法

1、 场效应管的静态工作点由哪些参数决定

答案: VGS       VDS        ID

2、 图解法求解静态工作点时，将电路分为两个部分如图所示。

答案: 电路部分A是非线性电路，该电路的伏安特性曲线是输出特性曲线；电路部分B是线性电路，该电路的伏安特性是直流负载线方程。

3、 运用图解法，求解左图电路的Q点，该场效应管的输出特性曲线如右图所示

答案: 在输出特性曲线中，直线EF是直流负载线，Q点为：VGSQ = 2.0V，VDSQ = 7.2V，IDQ = 0.5mA。

4、 图左为场效应管放大电路，图右为该管子的输出特性曲线。下面说法正确的是

答案: 在输出特性中，直线A为直流负载线，斜率为；直线B为交流负载线，斜率为；交流负载线是动态工作的轨迹，因此它用来绘制工作波形。

5、 下面说法正确的是

答案: 对于增强型MOS管，在恒流区满足伏安特性方程，其中是指的。;
为了求解放大电路的静态工作点，画直流通路，然后可用估算法或者图解分析法求解。

6、 如图所示，下列说法正确的是：

答案: 这是增强型MOSFET的输出特性曲线，其中A区为可变电阻区，B区为饱和区。;
这是增强型MOSFET的输出特性曲线，其中A区为可变电阻区，B区为恒流区。;
这是增强型MOSFET的输出特性曲线，其中C区为击穿区，D区为截止区。

7、 下面说法正确的有

答案: 对于NMOS管共源放大电路，vo波形底部失真为饱和失真，是由于工作轨迹进入了可变电阻区。;
对于NMOS管共源放大电路，vo波形顶部失真为截止失真，是由于工作轨迹进入了截止区。;
对于NMOS管共源放大电路，vo波形双向失真因为输入信号幅度过大，是由于工作轨迹同时进入了可变电阻区和截止区。

8、 场效应管的特性曲线有输入特性和输出特性

答案: 错误

9、 静态工作点的求解方法有图解分析法和小信号模型分析法。

答案: 错误

第3章 场效应三极管及其放大电路 3_单元测试_场效应管的小信号模型

1、 下面说法正确的有：

答案: 场效应管小信号模型中研究的电流和电压都是幅度较小的交流量；;
小信号模型法是将放大电路转化为线性电路来处理。

2、 下面说法正确的有：

答案: 估算法，可以用于求静态工作点。;
估算法，不能用于大信号工作情况。;
小信号等效电路法，不能用于求某时刻的电压、电流总值。;
小信号等效电路法，不能用于大信号工作情况。 

3、 下面说法正确的有：

答案: 图解分析法，可以用于求静态工作点。;
图解分析法，能用小大信号工作情况。

4、 下面说法正确的有：

答案: 场效应管小信号模型参数由静态工作点决定。;
场效应管小信号模型参数可以通过转移特性曲线求解。

第3章 场效应三极管及其放大电路 3_单元测试_共源放大电路的小信号模型分析法

1、

答案:

2、

答案: 电路采用自偏压

3、

答案:

4、

答案:

5、

答案:

6、

答案:

7、

答案: ;
;

8、

答案:

9、

答案:

10、

答案: ;

11、 已知电路如图，Rg1=3MΩ，Rg2=1MΩ，连接在源极的电阻Rs =1kΩ, 负载电阻RL=1kΩ, VDD＝20V，场效应管的开启电压VT等于2V，IDO=4mA。以下说法正确的有：

答案: 该场效应管为增强型NMOS管。;
电路组态是共漏放大电路。

12、

答案: ;
;

13、

答案: ;

第3章 场效应三极管及其放大电路 3_单元测试_共漏和共栅放大电路

1、

答案:

2、

答案:

3、

答案:

4、

答案:

5、

答案:

6、

答案:

7、

答案:

8、

答案:

9、

答案:

10、

答案: ;
;

11、

答案: N沟增强型MOSFET;
共栅放大电路

第4章 双极结型三极管（BJT）及其放大电路 4_单元测验_在线测量法

1、 在线测得BJT的三个引脚电位分别为：V1=-2V，V2=-6.7V，V3=-7V，则1脚是（     ）

答案: 集电极

2、 在线测得BJT的三个引脚电位分别为：V1=-2V，V2=-6.7V，V3=-7V，则2脚是（     ）

答案: 基极

3、 在线测得BJT的三个引脚电位分别为：V1=-2V，V2=-6.7V，V3=-7V，则3脚是（     ）

答案: 发射极

4、 在线测得BJT的三个引脚电位分别为：V1=-2V，V2=-6.7V，V3=-7V，该管的材料是（     ）

答案: 锗

5、 在线测得BJT的三个引脚电位分别为：V1=-2V，V2=-6.7V，V3=-7V，该管的类型是（     ）

答案: NPN

6、 在线测得BJT的三个引脚电流分别为（令参考方向为流入BJT）：I1=-2.98mA，I2=3mA，I3=-0.02mA；则1脚是（     ）

答案: 集电极

7、 在线测得BJT的三个引脚电流分别为（令参考方向为流入BJT）：I1=-2.98mA，I2=3mA，I3=-0.02mA；则2脚是（     ）

答案: 发射极

8、 在线测得BJT的三个引脚电流分别为（令参考方向为流入BJT）：I1=-2.98mA，I2=3mA，I3=-0.02mA；则3脚是（     ）

答案: 基极

9、 在线测得BJT的三个引脚电流分别为（令参考方向为流入BJT）：I1=-2.98mA，I2=3mA，I3=-0.02mA；该管子的类型是（     ）

答案: PNP

10、 在线测得BJT的三个引脚电流分别为（令参考方向为流入BJT）：I1=-2.98mA，I2=3mA，I3=-0.02mA；该管子的β约为（     ）

答案: 150

第4章 双极结型三极管（BJT）及其放大电路 4_单元测验_BJT及其特性

1、 BJT的三个区，（       ）的掺杂浓度最低

答案: 基区

2、 发射区与（    ）区是同种类型的半导体。

答案: 集电区

3、 三个引脚电流中，发射极电流的实际方向与（     ）极的电流实际方向相同。

答案: 发射极电流与其他电流方向都不同

4、 三个引脚电流中有效值最大的是（     ）

答案: 发射极电流

5、 BJT正常放大时，发射结一定是（      ）

答案: 正偏

6、 正常工作的BJT，输出特性曲线分三个区域，它们是（     ）。

答案: 饱和区;
放大区;
截止区

7、 BJT正常放大时，其两个PN结（      ）

答案: 发射结正偏;
集电结反偏

8、 下列说法中，错误的有（     ）

答案: 集电区的掺杂浓度最高;
发射区的体积最大;
集电区的类型与其他区不同

第4章 双极结型三极管（BJT）及其放大电路 4_单元测验_基本共发射极放大电路

1、 共射组态的放大电路结构特点是：

答案: 基极输入，集电极输出

2、 实验测得基本共射极放大电路的ICQ较大，需减小到某值，应如何调整电路？

答案: 增大Rb

3、 实验测得基本共射极放大电路的IBQ较大，需减小到某值，应调整：

答案: 增大Rb

4、 基本共射电路中，换一个BJT，使得其β增大（电路中其它元件参数不变），则

答案: IBQ不变;
ICQ增大;
VCEQ减小

5、 对阻容耦合的放大电路，下列说法中正确的有：

答案: 改变负载的大小，不会改变静态工作点;
作直流通路时，Vcc保持不变;
作交流通路时，Vcc应改为地

6、 作放大电路的交流通路时，应该：

答案: 电路中的较大电容看作交流短路;
Vcc视作交流地处理

7、 增大Rc，并不能改变基本共射电路的基极偏置电流IBQ。

答案: 正确

8、 增大Rb，将使得基本共射电路的ICQ增大。

答案: 错误

9、 增大Rb，将使得基本共射电路的ICQ减小。

答案: 正确

10、 增大Rc，基本共射电路的BJT的IBQ将减小。

答案: 错误

第4章 双极结型三极管（BJT）及其放大电路 4_单元测验_图解分析法

1、 交流负载线的作图方法采用（    ）比较便利。

答案: 点斜式

2、 基本共射极放大电路中，直流负载线的斜率与（       ）有关。

答案: Rc

3、 下列说法中错误的是

答案: vi、vo、ib和ic的相位一定是一致的

4、 阻容耦合放大电路的直流负载线的斜率与负载电阻无关。

答案: 正确

5、 交流负载线的斜率与负载电阻无关。

答案: 错误

6、 直流负载线和交流负载线的交点就是静态工作点。

答案: 正确

7、 直流负载线和交流负载线的交点是（Vcc，0）

答案: 错误

8、 直流负载线的斜率比交流负载线更陡峭。

答案: 错误

第4章 双极结型三极管（BJT）及其放大电路 4_单元测验_射极偏置放大电路

1、 射极偏置电路的结构特点是

答案: B入C出E经电阻接地

2、 下列说法中错误的是

答案: 射极偏置电路（无旁路电容）的Ro比基本共射电路的Ro更小

3、 环境温度升高（射极偏置电路的其他参数不变）时，下列说法中正确的是

答案: 电路的Ri随之增大

4、 下列说法中正确的有

答案: 射极偏置电路的vo与vi反相;
引入旁路电容将使得射极偏置电路的电压增益大小增大。;
引入旁路电容不会改变射极偏置电路的Ro。

5、 增大Re（其余参数不变，电路中不存在旁路电容）时，哪些指标的大小将减小

答案: IBQ;
Av

6、 增大Re（其余参数不变，电路中存在旁路电容）时，下列说法中（    ）是错误的。

答案: rbe不变;
Ri不变

7、 射极偏置电路属于固定偏流式。

答案: 错误

8、 Re的存在能够稳定BJT的静态工作点。

答案: 正确

9、 若Re在交流通路中存在，将使得Av的大小增大。

答案: 错误

第4章 双极结型三极管（BJT）及其放大电路 4_单元测验_小信号模型分析法

1、 共射极放大电路中，下列哪一组信号是反相的

答案: vo与vi

2、 下列说法中错误的是

答案: 共射电路的电压增益为正值

3、 共射电路的结构特点是

答案: B入C出E接地

4、 当基本共射电路的Rb增大时（其余参数不变），以下说法中正确的有 

答案: Av的大小将减小;
Ri将增大

5、 当共射电路的Rc增大时（其余参数不变），以下说法中正确的有 

答案: rbe将不变;
Av的大小将增大;
Ro将增大

6、 rbe是动态电阻，与BJT的静态工作点无关。

答案: 错误

7、 当输入电压幅值很大时，BJT的微变等效模型就不再适用了。

答案: 正确

第4章 双极结型三极管（BJT）及其放大电路 4_单元测验_共基极放大电路

1、 共基极放大电路的结构特点是

答案: E入C出B接地

2、 基本共基极放大电路与基本共射放大电路的（      ）相同。

答案: Ro

3、 下列关于共基极放大电路的说法错误的是（          ）。

答案: 其直流通路与基本共射放大电路相同。

4、 共基极放大电路的输入电阻很大

答案: 错误

5、 共基极放大电路的输出电阻很小

答案: 错误

6、 共基极放大电路的vi与vo反相

答案: 错误

第4章 双极结型三极管（BJT）及其放大电路 4_单元测验_三种组态电路的性能比较+复合管

1、 共射组态（         ）

答案: 既能放大电压，也能放大电流

2、 共集电极组态（         ）

答案: 不能放大电压，只能放大电流

3、 共基极组态（         ）

答案: 只能放大电压，不能放大电流

4、 输入电阻最小的电路是

答案: 基本共基极放大电路

5、 下列电路中，（        ）的电压增益大小可能最小。

答案: 射极偏置放大电路

6、 下列电路中，（          ）的vi与vo反相。

答案: 基本共射放大电路;
射极偏置放大电路

7、 下列电路中，（        ）的输入电阻比较大。

答案: 射极偏置放大电路（不带旁路电容）;
基本共集电极放大电路

8、 下列电路中，（     ）的输出电阻约等于集电极偏置电阻Rc。

答案: 基本共射放大电路;
射极偏置放大电路;
基本共基极放大电路

9、 不能使用两种不同类型的BJT组合成复合管。

答案: 错误

10、 复合管的β是其组成成员的β之累加。

答案: 错误

11、 三种组态电路中，共集电极放大电路的输出电阻最小，故其带负载能力最弱。

答案: 错误

12、 三种组态电路均具备功率放大能力。

答案: 正确

13、 集电极一定不能作为放大电路的输入端。

答案: 正确