标签：P型中性区

2020-03-06到2020-07-30

第五周 PN结的势垒电容、PN结的扩散电容、PN结的开关特性 单元测验半导体器件基本方程及PN结的基本知识

1、 PN结中冶金结的含义是( )。

A:空间电荷区
B:界面
C:耗尽层
D:势垒层
答案: 界面

2、 反向偏置的PN结，靠近耗尽层边界的中性区内会发生（ ）过程。

A:漂移和扩散
B:扩散和复合
C:产生和扩散
D:产生和漂移
答案: 产生和扩散

3、 理想PN结的电流是（ ）。

点我阅读全文

部分作业答案，点击这里查看

第五周 PN结的势垒电容、PN结的扩散电容、PN结的开关特性 单元测验半导体器件基本方程及PN结的基本知识

1、 PN结中冶金结的含义是( )。

答案: 界面

2、 反向偏置的PN结，靠近耗尽层边界的中性区内会发生（ ）过程。

答案: 产生和扩散

3、 理想PN结的电流是（ ）。

答案: 少子扩散电流

4、 对PN+结，扩散电容上的电荷主要是储存在（ ）的非平衡载流子电荷。

答案: P型中性区

5、

点我阅读全文