2021-03-07到2021-06-20
每5天更新一次
第二部分半导体器件物理基础 第二部分第一次测验
1、 题2-1-1、为纯净的硅材料中掺入硼、铝、铟元素，形成（ ），其多子为（）。
A:P型半导体，空穴
B:P型半导体，电子
C:N型半导体，空穴
D:N型半导体，电子
答案: N型半导体，电子
2、 题2-1-2、 下图为（ ）的剖面图，其衬底一般接（）。
2021-03-07到2021-06-20
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1、 题2-1-1、为纯净的硅材料中掺入硼、铝、铟元素，形成（ ），其多子为（）。
A:P型半导体，空穴
B:P型半导体，电子
C:N型半导体，空穴
D:N型半导体，电子
答案: N型半导体，电子
2、 题2-1-2、 下图为（ ）的剖面图，其衬底一般接（）。