2021-03-07到2021-06-20
每5天更新一次
第二部分半导体器件物理基础 第二部分第一次测验
1、 题2-1-1、为纯净的硅材料中掺入硼、铝、铟元素,形成( ),其多子为()。
A:P型半导体,空穴
B:P型半导体,电子
C:N型半导体,空穴
D:N型半导体,电子
答案: N型半导体,电子
2、 题2-1-2、 下图为( )的剖面图,其衬底一般接()。
2021-03-07到2021-06-20
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1、 题2-1-1、为纯净的硅材料中掺入硼、铝、铟元素,形成( ),其多子为()。
A:P型半导体,空穴
B:P型半导体,电子
C:N型半导体,空穴
D:N型半导体,电子
答案: N型半导体,电子
2、 题2-1-2、 下图为( )的剖面图,其衬底一般接()。
1、 题1-1-1 中国高端芯片联盟正式成立时间是: 。
答案: 2016年7月
2、 题1-1-2 如下不是集成电路产业特性的是: 。
答案: 低风险
3、 题1-1-3 摩尔定律是指集成电路上可容纳的晶体管数目,约每隔: 个月便会增加一倍,性能也将提升一倍。
答案: 18
4、 题1-1-4 摩尔定律之后,集成电路发展有三条主线,以下不是集成电路发展主线的是: 。
答案: SoC
5、 题1-1-5 单个芯片上.
2020-02-24到2020-06-30
1、 PN结在外加正向电压作用下,内电场__,扩散电流____漂移电流。
A:增强,大于;
B:增强,小于;
C:削弱,大于;
D:削弱,小于。
答案: 削弱,大于;
2、 一个半波整流电路的变压器副边电压为10V,负载电阻为250Ω,流过二极管的平均电流为______。
A:90mA;
B:180mA;
C:9mA;
D:18mA。
答案: 18mA。
3、 桥式整流电路的变压
2021-03-03到2021-07-05
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1、 半导体中的载流子包括( )
A:自由电子
B:空穴
C:自由电子和空穴
D:离子
答案: 自由电子和空穴
2、 N型半导体中多数载流子是( )
A:自由电子
B:空穴
C:自由电子和空穴
D:离子
答案: 自由电子
3、 理想二极管导通时可视作
A:开路
B:短路
C:压降0.7V
D:压降0.3V
答案: 短路
1、 模拟信号指的是()信号
A:时间连续,幅度连续
B:时间连续,幅度离散
C:时间离散,幅度连续
D:时间离散,幅度离散
答案: 时间连续,幅度连续
2、 数字信号指的是()信号
A:时间连续,幅度连续
B:时间离散,幅度离散
C:时间连续,幅度离散
D:时间离散,幅度连续
答案: 时间离散,幅度离散
3、 信号可分为模拟信号和数字信号
A:.
1、 
评分规则: ui波形,计20分;uo正半周正确,计40分;uo负半周正确,计40分;分析过程正确,波形不正确,计40分。
1、 测得放大电路中处于放大状态的晶体管直流电位如下图,试在图中的圆圈里
2020-04-19到2020-07-01
1、 题2-1-1、MOS管一旦出现()现象,此时的MOS管将进入饱和区。
A:夹断
B:反型
C:导电
D:耗尽
答案: 夹断
2、 题2-1-2、 MOS管从不导通到导通过程中,最先出现的是( )。
A:反型
B:夹断
C:耗尽
D:导通
答案: 耗尽
3、 题2-1-3、 在CMOS模拟集成电路设计中,我们一般让MOS管工作在()区。
A:亚阈值区
2020-04-18到2020-06-30
1、 (1000)8421BCD +(0110) 8421BCD 应为下列哪项数值?
A:(14)Q
B:(14)H
C:(1110) 8421BCD
D:(00010100) 8421BCD
答案: (00010100) 8421BCD
2、 用一个八位数据线表示13的补码是
A:00010011
B:00001101
C:11110011
D:01110011
答案: 00001101
3、 已知A0Å A1Å…Å…ÅA2018=0。在{ A0,A1,…,A2018}中0的个数可
2021-03-02到2021-07-11
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1、 二极管两端加上正向电压时( )。
A:一定导通
B:超过死区电压才能导通
C:超过0.7V才导通
D:截止
答案: 超过死区电压才能导通
2、 用指针式万用表测同一只二极管的正向电阻,不同欧姆档测得的阻值不同,其原因是( )。
A:二极管的质量差
B:万用表不同欧姆档有不同的内阻
C: 二极管有非线性的伏安特性
D:万用表坏了
2021-03-01到2021-06-07
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1、 电路如图所示,设DZ1的稳定电压为6V,DZ2的稳定电压为12V,设稳压管的正向压降为0.7V,则输出电压Uo等于( )。![]()
A:18V
B:6V
C:6.7V
D:12.7V
答案: 6.7V
2、 在下图所示的电路中,晶
2021-09-07到2022-01-08
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1、 将十进制数54转换为等值的8421BCD码为( )
A:01010100
B:110110
C:00110110
D:11000110
答案: 01010100
2、 将十进制数86转换为等值的余三码为( )
A:10000110
B:10111001
C:10001001
D:10110110
答案: 10111001
3、 一位十六进制数可以用 位二进制数来表示。
A:1
B:2
C:4
D:16
答
1、 本征半导体中的自由电子浓度与空穴浓度的关系是
答案: 等于
2、 在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于 。
答案: 掺杂浓度
3、 在掺杂半导体中,少子的浓度受 的影响很大。
答案: 温度
4、 在掺杂半导体中,多子的浓度越高,少子的浓度 。
答案: 越低
5、 N型半导体 。