模拟集成电路设计(申继伟-)(南京理工大学紫金学院)mooc慕课答案2026年版满分测试WYC


2021-03-07到2021-06-20
每5天更新一次

第二部分半导体器件物理基础 第二部分第一次测验

1、 题2-1-1、为纯净的硅材料中掺入硼、铝、铟元素,形成( ),其多子为()。

A:P型半导体,空穴
B:P型半导体,电子
C:N型半导体,空穴
D:N型半导体,电子
答案: N型半导体,电子

2、 题2-1-2、 下图为( )的剖面图,其衬底一般接()。

点我阅读全文

集成电路设计基础(华中科技大学) mooc慕课答案2026年版满分测试

第一部分 课程概论 第一部分第一次测验

1、 题1-1-1 中国高端芯片联盟正式成立时间是: 。

答案: 2016年7月

2、 题1-1-2 如下不是集成电路产业特性的是: 。

答案: 低风险

3、 题1-1-3 摩尔定律是指集成电路上可容纳的晶体管数目,约每隔: 个月便会增加一倍,性能也将提升一倍。

答案: 18

4、 题1-1-4 摩尔定律之后,集成电路发展有三条主线,以下不是集成电路发展主线的是: 。

答案: SoC

5、 题1-1-5 单个芯片上.

点我阅读全文

电子技术(西北工业大学)mooc慕课答案2026年版满分测试WYC


2020-02-24到2020-06-30

1. 半导体二极管与整流电路 第十二章测试题

1、 PN结在外加正向电压作用下,内电场__,扩散电流____漂移电流。

A:增强,大于;
B:增强,小于;
C:削弱,大于;
D:削弱,小于。
答案: 削弱,大于;

2、 一个半波整流电路的变压器副边电压为10V,负载电阻为250Ω,流过二极管的平均电流为______。

A:90mA;
B:180mA;
C:9mA;
D:18mA。
答案: 18mA。

3、 桥式整流电路的变压

点我阅读全文

电工电子技术(南京航空航天大学)mooc慕课答案2026年版满分测试WYC


2021-03-03到2021-07-05
每5天更新一次

第一讲 半导体器件 第一章单元测验

1、 半导体中的载流子包括( )

A:自由电子
B:空穴
C:自由电子和空穴
D:离子
答案: 自由电子和空穴

2、 N型半导体中多数载流子是( )

A:自由电子
B:空穴
C:自由电子和空穴
D:离子
答案: 自由电子

3、 理想二极管导通时可视作

A:开路
B:短路
C:压降0.7V
D:压降0.3V
答案: 短路

点我阅读全文

模拟电子技术基础(西华大学) mooc慕课答案2026年版满分测试

部分作业答案,点击这里查看

第一章 绪论 课程基本概念

1、 模拟信号指的是()信号

A:时间连续,幅度连续
B:时间连续,幅度离散
C:时间离散,幅度连续
D:时间离散,幅度离散
答案: 时间连续,幅度连续

2、 数字信号指的是()信号

A:时间连续,幅度连续
B:时间离散,幅度离散
C:时间连续,幅度离散
D:时间离散,幅度连续
答案: 时间离散,幅度离散

3、 信号可分为模拟信号和数字信号

A:.

点我阅读全文

模拟电子技术B(中南大学) mooc慕课答案2026年版满分测试

作业第1章 常用半导体器件 作业1—-二极管的单向导电性

1、
评分规则:  ui波形,计20分;uo正半周正确,计40分;uo负半周正确,计40分;分析过程正确,波形不正确,计40分。

作业第1章 常用半导体器件 作业2—三极管

1、 测得放大电路中处于放大状态的晶体管直流电位如下图,试在图中的圆圈里

点我阅读全文

模拟集成电路设计(三江学院)mooc慕课答案2026年版满分测试WYC


2020-04-19到2020-07-01

第二部分半导体器件物理基础 第二部分第一次测验

1、 题2-1-1、MOS管一旦出现()现象,此时的MOS管将进入饱和区。

A:夹断
B:反型
C:导电
D:耗尽
答案: 夹断

2、 题2-1-2、 MOS管从不导通到导通过程中,最先出现的是( )。

A:反型
B:夹断
C:耗尽
D:导通
答案: 耗尽

3、 题2-1-3、 在CMOS模拟集成电路设计中,我们一般让MOS管工作在()区。

A:亚阈值区

点我阅读全文

数字电子技术(新疆天山职业技术学院(本科))mooc慕课答案2026年版满分测试WYC


2020-04-18到2020-06-30

第2章 数字电子技术的数学基础 数字电子技术的数学基础测验题

1、 (1000)8421BCD +(0110) 8421BCD 应为下列哪项数值?

A:(14)Q
B:(14)H
C:(1110) 8421BCD
D:(00010100) 8421BCD
答案: (00010100) 8421BCD

2、 用一个八位数据线表示13的补码是

A:00010011
B:00001101
C:11110011
D:01110011
答案: 00001101

3、 已知A0Å A1Å…Å…ÅA2018=0。在{ A0,A1,…,A2018}中0的个数可

点我阅读全文

模拟电子技术(常州工业职业技术学院)1463468498mooc慕课答案2026年版满分测试WYC


2021-03-02到2021-07-11
每5天更新一次

项目一 低频小信号放大电路的分析与装调 项目一单元测验

1、 二极管两端加上正向电压时( )。

A:一定导通
B:超过死区电压才能导通
C:超过0.7V才导通
D:截止
答案: 超过死区电压才能导通

2、 用指针式万用表测同一只二极管的正向电阻,不同欧姆档测得的阻值不同,其原因是( )。

A:二极管的质量差
B:万用表不同欧姆档有不同的内阻
C: 二极管有非线性的伏安特性
D:万用表坏了

点我阅读全文

2021秋电子技术基础(山东大学) mooc慕课答案2026年版满分测试WYC


2021-09-07到2022-01-08
每周周末更新

第一章 初识数字电路 本章测验

1、 将十进制数54转换为等值的8421BCD码为( )

A:01010100
B:110110
C:00110110
D:11000110
答案: 01010100

2、 将十进制数86转换为等值的余三码为( )

A:10000110
B:10111001
C:10001001
D:10110110
答案: 10111001

3、 一位十六进制数可以用 位二进制数来表示。

A:1
B:2
C:4
D:16

点我阅读全文

模拟电子技术基础(西安交通大学) mooc慕课答案2026年版满分测试

第二周:第2章半导体晶体管及放大电路基础 第1章半导体二极管及其应用自测题

1、 本征半导体中的自由电子浓度与空穴浓度的关系是        

答案: 等于

2、 在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于               。

答案:  掺杂浓度

3、 在掺杂半导体中,少子的浓度受           的影响很大。

答案: 温度

4、 在掺杂半导体中,多子的浓度越高,少子的浓度              。

答案: 越低

5、 N型半导体               。

点我阅读全文