2020-02-16到2020-07-31
第一讲 半导体导论 半导体基础知识测试1
1、 在电子器件中,用的最多的半导体材料是硅,其原子序号为 。
A:4
B:14
C:24
D:32
答案: 14
2、 在室温下,本征半导体中的载流子数目 。
A:很多
B:较多
C:较少
D:极少
答案: 极少
3、 在本征半导体中,本征激发产生的载流子是 。
A:自由电子
B:空穴
C:正负离子
D:自由电子和空穴
答案: 自
2020-02-16到2020-07-31
1、 在电子器件中,用的最多的半导体材料是硅,其原子序号为 。
A:4
B:14
C:24
D:32
答案: 14
2、 在室温下,本征半导体中的载流子数目 。
A:很多
B:较多
C:较少
D:极少
答案: 极少
3、 在本征半导体中,本征激发产生的载流子是 。
A:自由电子
B:空穴
C:正负离子
D:自由电子和空穴
答案: 自
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1、 影响半导体器件温度稳定性的是( )。
答案: 少数载流子
2、 对PN结的空间电荷区错误称谓是( )。
答案: 外电场
3、 扩散运动是由( )定向运动形成的。
答案: 多数载流子
4、 漂移运动是由( )定向运动形成的。
答案: 少数载流子
5、 N型半导体中主要的载流子是( )。
答案: 自由电子
6、 P型半导体
2021-03-03到2021-07-05
每5天更新一次
1、 半导体中的载流子包括( )
A:自由电子
B:空穴
C:自由电子和空穴
D:离子
答案: 自由电子和空穴
2、 N型半导体中多数载流子是( )
A:自由电子
B:空穴
C:自由电子和空穴
D:离子
答案: 自由电子
3、 理想二极管导通时可视作
A:开路
B:短路
C:压降0.7V
D:压降0.3V
答案: 短路
2021-02-21到2021-07-12
每5天更新一次
1、 N型半导体中的多数载流子为( )。
A:空穴
B:正离子
C:自由电子
D:负离子
答案: 自由电子
2、 硅二极管的正向特性与锗二极管相比,门槛电压值是( )。
A:锗二极管的较大
B:锗二极管的较小
C:硅二极管的较小
D:两者差不多大
答案: 锗二极管的较小
3、 正向工作时,二极管的电流越大,它呈现的直流电阻( )。<
2020-08-31到2021-08-26
每5天更新一次
1、 金属中()参与导电。
A:自由电子
B:原子核
C:自由电子与原子核共同
D:内层电子
答案: 自由电子
2、 通常的电场作用下,参与导电的自由电子是()自由电子。
A:全部
B:部分
C:被束缚的
D:受电场激发的
答案: 部分
2020-02-22到2020-05-30
1、 根据杜隆-珀替定律:恒压下元素的原子热容为( )J/(mol∙K)。除了轻元素外,大部分原子的摩尔热容在非低温时都接近该值。
A:22.5
B: 30
C:7.5
D:25
答案: 25
2、 影响金属材料热容的因素主要有两个:()和()。
A:自由电子
B:一级相变
C:材料结构
D:合金成分
答案: 自由电子;
合金成分
3、 材
1、 N型半导体中的多数载流子是()。
答案: 自由电子
2、 P型半导体中的多数载流子是()。
答案: 空穴
3、 P型半导体()。
答案: 呈中性
4、 PN结中扩散电流的方向是()。
答案: 从P区到N区
5、 PN结中漂移电流的方向是()。
答案: 从N区到P区
6、 当PN结外加反向电压时,耗尽层()。
答案: 变宽
7
2021-09-12到2022-01-15
每周周末更新
1、 当PN结外加正向电压时,扩散电流______漂移电流。
A:大于
B:等于
C:小于
D:以上均可能
答案: 大于
2、 N型半导体是在纯净半导体中掺入______。
A:三价元素,如硼
B:五价元素,如磷
C:带正电的离子
D:带负电的离子
答案: 五价元素,如磷
3、 PN结的反向饱和电流随温度升高而______。
A:增大
B:基本不变<
2021-09-01到2021-12-30
每周周末更新
1、 电阻产生的根源是导电电子与( )发生碰撞。
A:声子
B:杂质原子
C:电子
D:离子实
答案: 离子实
2、 当处于高温时,金属电阻主要由基本电阻主导。
A:正确
B:错误
答案: 正确
1、 金属中( )参与导电。
2021-03-03到2021-07-05
1、 半导体中的载流子包括( )
A:自由电子
B:空穴
C:自由电子和空穴
D:离子
答案: 自由电子和空穴
2、 N型半导体中多数载流子是( )
A:自由电子
B:空穴
C:自由电子和空穴
D:离子
答案: 自由电子
3、 理想二极管导通时可视作
A:开路
B:短路
C:压降0.7V
D:压降0.3V
答案: 短路
4、 NPN