标签：掺杂浓度

第一部分 课程概论 第一部分第一次测验

1、 题1-1-1 中国高端芯片联盟正式成立时间是： 。

答案: 2016年7月

2、 题1-1-2 如下不是集成电路产业特性的是： 。

答案: 低风险

3、 题1-1-3 摩尔定律是指集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔： 个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。

答案: 18

4、 题1-1-4 摩尔定律之后，集成电路发展有三条主线，以下不是集成电路发展主线的是： 。

答案: SoC

5、 题1-1-5 单个芯片上.

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2020-03-01到2020-07-24

1 半导体器件 第一单元测验

1、 在杂质半导体中多子的数量主要与 有关。

A:杂质类型
B:掺杂浓度
C:温度
D:光照
答案: 掺杂浓度

2、 在外加电压的作用下，P型半导体中的电流主要是 、N型半导体中的电流主要是 ，

A:电子电流、空穴电流
B:空穴电流、电子电流
C:离子电流、空穴电流
D:离子电流、电子电流
答案: 空穴电流、电子电流

3、 稳压管工作在稳压状态下，是工作在 区

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2021-03-15到2021-07-10
每5天更新一次

半导体基础与常用器件 第一单元测验

1、 单极型半导体器件是（）。

A:二极管
B:双极型三极管
C:场效应管
D:稳压管
答案: 场效应管

2、 P型半导体是在本征半导体中加入微量的（）元素构成的。

A:三价
B:四价
C:五价
D:六价
答案: 三价

3、 在杂质半导体中，多子的浓度主要取决于（）。

A:温度
B:掺杂浓度
C:掺杂工艺
D:晶体缺

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2021-03-01到2021-07-01
每5天更新一次

第一周：第0章绪言、第1章半导体二极管及其应用 第一章单元测试

1、 本征半导体中的自由电子浓度 _空穴浓度。

A:大于
B:小于
C:等于
D:不确定
答案: 等于

2、 p型半导体中的自由电子浓度_____空穴浓度

A:大于
B:等于
C:小于
D:不确定
答案: 小于

3、 N型半导体中的自由电子浓度 ___空穴浓度

A:大于
B:等于
C:小于
D:不确定

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2020-04-02到2020-05-08

第1章  半导体二极管及其基本应用（第1周，6课时） 第1章单元测验

1、 半导体本征激发会成对产生　　　　　　　。

A:自由电子
B:空穴
C:自由电子和空穴
D:杂质离子
答案: 自由电子和空穴

2、 ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流 。

A:增加
B:减小
C:不变
D:为0
答案: 增加

3、 ＰＮ结外加正向电压时，耗尽层 。

A:增厚
B:变薄
C:厚度不变

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2020-03-02到2020-06-02

第1章  半导体二极管及其基本应用（第1-2周，6课时） 第1章单元测验

1、 半导体本征激发会成对产生　　　　　　　。

A:自由电子
B:空穴
C:自由电子和空穴
D:杂质离子
答案: 自由电子和空穴

2、 ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流 。

A:增加
B:减小
C:不变
D:为0
答案: 增加

3、 ＰＮ结外加正向电压时，耗尽层 。

A:增厚
B:变薄
C:厚度不变

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第二周：第2章半导体晶体管及放大电路基础 第1章半导体二极管及其应用自测题

1、 本征半导体中的自由电子浓度与空穴浓度的关系是        

答案: 等于

2、 在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于               。

答案:  掺杂浓度

3、 在掺杂半导体中，少子的浓度受           的影响很大。

答案: 温度

4、 在掺杂半导体中，多子的浓度越高，少子的浓度              。

答案: 越低

5、 N型半导体               。

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