2021-03-01到2021-06-30
每5天更新一次
第一章 集成电路制造工艺发展概况 第一单元 单元测验
1、 双极型晶体管的制作工艺流程中,一般首先制备的是 ,其次制备的是 ,最后制备的是 。
A:集电区、基区、发射区
B:基区、发射区、集电区
C:栅区、源区、漏区
D:发射区、基区、集电区
答案: 集电区、基区、发射区
2、 集成电路的绝缘介质隔离技术中,最常用的介质是 。
A:二氧化硅
B:氮化硅
C:多晶硅
D:单晶硅
2021-03-01到2021-06-30
每5天更新一次
1、 双极型晶体管的制作工艺流程中,一般首先制备的是 ,其次制备的是 ,最后制备的是 。
A:集电区、基区、发射区
B:基区、发射区、集电区
C:栅区、源区、漏区
D:发射区、基区、集电区
答案: 集电区、基区、发射区
2、 集成电路的绝缘介质隔离技术中,最常用的介质是 。
A:二氧化硅
B:氮化硅
C:多晶硅
D:单晶硅
2020-03-27到2020-07-31
1、 6.稳压二极管在 状态下管子两端的电压叫稳定电压。A 正向导通 B 反向击穿 C 不工作 D 其它
A:正向导通
B:反向击穿
C:不工作
D:其它
答案: 反向击穿
2、 7. 普通二极管有标记的一边是它的 极。A阳极 B 阴极 C 正极 D
2020-03-16到2020-04-12
1、 双极型晶体管的制作工艺流程中,首先制备的是 ,其次制备的是 ,最后制备的是 ,依次为:
A:集电区、基区、发射区
B:基区、发射区、集电区
C:栅区、源区、漏区
D:发射区、基区、集电区
答案: 集电区、基区、发射区
2、 集成电路的绝缘介质隔离技术中,最常用的介质是 。
A:二氧化硅
B:氮化硅
C:多晶硅
D:单晶硅
答案: 二氧