集成电路制造工艺(江苏信息职业技术学院)1463145448mooc慕课答案2026年版满分测试WYC


2021-03-01到2021-06-30
每5天更新一次

第一章 集成电路制造工艺发展概况 第一单元 单元测验

1、 双极型晶体管的制作工艺流程中,一般首先制备的是 ,其次制备的是 ,最后制备的是 。

A:集电区、基区、发射区
B:基区、发射区、集电区
C:栅区、源区、漏区
D:发射区、基区、集电区
答案: 集电区、基区、发射区

2、 集成电路的绝缘介质隔离技术中,最常用的介质是 。

A:二氧化硅
B:氮化硅
C:多晶硅
D:单晶硅

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电子技术(扬州工业职业技术学院)mooc慕课答案2026年版满分测试WYC


2020-03-27到2020-07-31

学习情境1 共4课时。1.1 常用电子元器件检测 1:了解电阻、电容、电感、二极管的分类、识读方法。2:掌握电阻、电容、电感及二极管器件的检测方法。3:会查找器件资料,了解器件的市场趋势。4:了解半

1、 6.稳压二极管在 状态下管子两端的电压叫稳定电压。A 正向导通 B 反向击穿 C 不工作 D 其它

A:正向导通
B:反向击穿
C:不工作
D:其它
答案: 反向击穿

2、 7. 普通二极管有标记的一边是它的 极。A阳极 B 阴极 C 正极 D

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半导体制造技术(四川现代职业学院)mooc慕课答案2026年版满分测试WYC


2020-03-16到2020-04-12

第一章 集成电路制造工艺发展概况 第一单元 单元测验

1、 双极型晶体管的制作工艺流程中,首先制备的是 ,其次制备的是 ,最后制备的是 ,依次为:

A:集电区、基区、发射区
B:基区、发射区、集电区
C:栅区、源区、漏区
D:发射区、基区、集电区
答案: 集电区、基区、发射区

2、 集成电路的绝缘介质隔离技术中,最常用的介质是 。

A:二氧化硅
B:氮化硅
C:多晶硅
D:单晶硅
答案: 二氧

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