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起止时间:2020-03-01到2020-07-16
更新状态:已完结
第二章 MOS晶体管原理 第二章测试
1、 下面哪个图是增强型NMOS转移特性曲线
A:
B:
C:
D:
答案:
2、 以下哪个条件是线性区的条件
A:
B:
C:
D:
答案:
3、 MOS晶体管的电学本质：电压控制电流源
A:正确
B:错误
答案: 正确
4、 MOS器件的最高工作频率与其沟道长度的平方成正比，增大沟道长度L可有效地提高工作频率。
A:正确
B:错误
答案: 错误
第二章 下 设计与工艺接口 第二章 下 测试
1、 重要参数阈值电压由很多因素决定，下列哪个不包含在内
A:衬底掺杂浓度
B:氧化层厚度
C:多晶硅与衬底的功函数差
D:栅极电压
答案: 栅极电压
2、 下列哪个选项不属于设计与工艺接口
A:工艺抽象
B:电学设计规
C:几何设计规则
D:工艺检查与监控
答案: 工艺抽象
3、 几何设计规则给出的是一组版图设计的最大允许尺寸
A:正确
B:错误
答案: 错误
4、 下图曲线是倒相器在各个工艺角下的仿真结果，从上往下工艺角越来越差
A:正确
B:错误
答案: 错误
第三章 反相器和组合逻辑电路 第三章测试
1、 下图对应的逻辑表达式是
A:
B:
C:
D:
答案:
2、 下图等效宽长比为2:1，求ABCD四个PMOS和NMOS管的宽长比
A:4,8,8,4 2,2,2,1
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