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起止时间:2020-02-22到2020-07-31
更新状态:已完结
第4讲：半导体的导电性 单元测验——第4讲
1、 随着温度的升高，n型半导体电导率的变化应为
A:先增大（考虑杂质电离和电离杂质散射），后减小（考虑晶格振动散射），再增大（考虑本征激发）；
B:先增大（考虑杂质电离和晶格振动散射），后减小（考虑晶格振动散射），再增大（考虑本征激发）；
C:先减小（考虑晶格振动散射），后增大（考虑本征激发），再减小（考虑晶格振动散射）；
D:先增大（晶格振动散射），后减小（考虑杂质电离和电离杂质散射），再增大（考虑本征激发）；
答案: 先增大（考虑杂质电离和电离杂质散射），后减小（考虑晶格振动散射），再增大（考虑本征激发）；
2、 室温范围，n型半导体的电阻率随温度升高如何变化？
A:增大
B:减小
C:不变
D:先减小，后增大
E:先增大，后减小
答案: 增大
3、 关于“载流子的漂移运动”，以下说法正确的是：
A:载流子在电场作用下的定向运动。
B:载流子的无规则热运动。
C:载流子的无规则热运动。
D:漂移速度是一个平均值，且是一个有限值。
E:电子和空穴的漂移运动方向相反，但形成的漂移电流密度都与电场方向一致。
答案: 载流子在电场作用下的定向运动。;
漂移速度是一个平均值，且是一个有限值。;
电子和空穴的漂移运动方向相反，但形成的漂移电流密度都与电场方向一致。
4、 关于“载流子的迁移率”，以下说法正确的是：
A:迁移率是单位电场强度下载流子的平均漂移速度的绝对值。
B:迁移率反应载流子在电场中漂移运动的难易程度。
C:电子的迁移率为正。
D:电子的迁移率大于空穴的迁移率。
E:电子的迁移率为负，空穴的迁移率为正。
F:电子的迁移率小于空穴的迁移率。
G:电子的迁移率等于空穴的迁移率。
答案: 迁移率是单位电场强度下载流子的平均漂移速度的绝对值。;
迁移率反应载流子在电场中漂移运动的难易程度。;
电子的迁移率为正。;
电子的迁移率大于空穴的迁移率。
5、 Si、Ge元素半导体的主要散射机构为：
A:电离杂质散射
B:声学波散射
C:光学波散射
D:谷间散射
E:位错散射
答案: 电离杂质散射;
声学波散射
6、 以下关于“晶格振动散射”的说法正确的是：
A:电子在晶格中被格波散射可以看作是电子与声子的相互作用。
B:在半导体中起主要散射作用的是长波，而且是纵波。
C:声学波散射和光学波散射的散射几率都随温度升高而增大。
D:声学波散射和光学波散射的散射几率都随温度升高而降低。
E:声学波散射的散射几率随温度升高而增大；光学波散射的散射几率随温度升高而降低。
答案: 电子在晶格中被格波散射可以看作是电子与声子的相互作用。;
在半导体中起主要散射作用的是长波，而且是纵波。;
声学波散射和光学波散射的散射几率都随温度升高而增大。
7、 关于“欧姆定律”的说法，以下正确的是：
A:电场较弱时，载流子的漂移速度与电场强度基本呈线性关系，此时满足欧姆定律。
B:电场较强时，载流子的漂移速度随电场增强而增大的速度变慢，偏离线性关系。
C:电场很强时，载流子的漂移速度与电场强度无关，达到饱和状态，严重偏离欧姆定律。
D:电场较弱时，载流子的漂移速度与电场强度基本呈线性关系，此时偏离欧姆定律
E:电场较强时，载流子的漂移速度随电场增强而增大的速度变慢，满足欧姆定律。
F:电场很强时，载流子的漂移速度与电场强度无关，达到饱和状态，复合欧姆定律。
答案: 电场较弱时，载流子的漂移速度与电场强度基本呈线性关系，此时满足欧姆定律。;
电场较强时，载流子的漂移速度随电场增强而增大的速度变慢，偏离线性关系。;
电场很强时，载流子的漂移速度与电场强度无关，达到饱和状态，严重偏离欧姆定律。
8、 多种散射机构同时存在时
A:总的散射几率是各种散射机构引起的散射几率之和。
B:总的散射几率增大了。
C:总的平均自由时间更短了。
D:载流子的迁移率更小了。
E:总的平均自由时间增大了。
F:总的迁移率更大了。
G:总的散射几率减小了。
答案: 总的散射几率是各种散射机构引起的散射几率之和。;
总的散射几率增大了。;
总的平均自由时间更短了。;
载流子的迁移率更小了。
9、 迁移率与杂质浓度和温度的关系为：
A:若电离杂质散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而增大。
B:若晶格振动散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而减小。
C:若温度确定，杂质浓度增大时，电子与空穴的多子、少子迁移率都单调下降。
D:若电离杂质散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而减小。
E:若晶格振动散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而增大。
F:杂质浓度较高时，电子的多子和少子迁移率趋近于相同的值。
答案: 若电离杂质散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而增大。;
若晶格振动散射为主要散射机构，则迁移率随温度升高而减小。;
若温度确定，杂质浓度增大时，电子与空穴的多子、少子迁移率都单调下降。
第1讲：半导体中的电子状态和能带（2周） 单元测验——第1讲
1、 一种有效而直观的测量有效质量的实验方法是？
A:回旋共振实验
B:霍尔效应实验
C:磁阻效应实验
D:热电效应实验
答案: 回旋共振实验
2、 有效质量的意义在于？
A:概括了半导体内部势场对电子的作用。
B:概括了共价键对电子的作用。
C:概括了导带对电子的作用。
D:概括了杂质对电子的作用。
答案: 概括了半导体内部势场对电子的作用。
3、 关于导带中的电子，以下描述正确的是？
A:准自由运动的电子。
B:受共价键束缚的电子。
C:受杂质束缚的电子。
D:受价带束缚的电子。
答案: 准自由运动的电子。
4、 在能带底部附近，电子的有效质量为？
A:正
B:负
C: 不确定
D:可正可负。
答案: 正
5、 Si的导带底和价带顶分别位于k空间的什么位置？
A:[100]及其等价方向；k=0处
B: k=0处；k=0处
C:[111]及其等价方向；k=0处
D: [100]及其等价方向；[111]及其等价方向
E: [110]及其等价方向；k=0处
答案: [100]及其等价方向；k=0处
6、 以下材料中，属于直接禁带半导体的是？
A:GaAs
B:Si
C:Ge
D:GaP
答案: GaAs
7、 什么是本征半导体？
A:没有杂质，没有缺陷的半导体。
B:没有杂质的纯净半导体。
C:没有缺陷的结构完美的半导体。
D:杂质和缺陷数量很多的半导体。
答案: 没有杂质，没有缺陷的半导体。
8、 本征半导体的特征是？
A:导带的电子浓度等于价带的空穴浓度。
B:导带的电子浓度大于价带的空穴浓度。
C:导带的电子浓度小于价带的空穴浓度。
D:电子浓度和空穴浓度均为0。
答案: 导带的电子浓度等于价带的空穴浓度。
9、 Ge的导带底和价带顶分别位于k空间的什么位置？
A:[111]及其等价方向；k=0处
B: [110]及其等价方向；k=0处
C:[100]及其等价方向；k=0处
D: k空间原点；k空间原点
答案: [111]及其等价方向；k=0处
10、 GaAs的导带底和价带顶分别位于k空间的什么位置？
A: k=0处；k=0处
B: [111]方向；k=0处
C: k=0处；[111]方向
D:[100]方向；k=0处
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