模拟电子技术基础II(西北工业大学) 中国大学MOOC答案2024版100分完整版

第二章 常用半导体器件原理 常用半导体器件原理

1、 N型半导体是在纯净半导体中掺入____；

答案: 五价元素，如磷等

2、 用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。

答案: 截止 

3、 用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。

答案: 截止

4、 图中所示是三种不同类型的场效应管的漏极特性曲线。试判断它们各属于什么类型的场效应管

答案: N沟增强型MOS

5、 图中所示是三种不同类型的场效应管的漏极特性曲线。试判断它们各属于什么类型的场效应管

答案: N沟道结型

6、 图中所示是三种不同类型的场效应管的漏极特性曲线。试判断它们各属于什么类型的场效应管

答案: P沟道耗尽型MOS

7、 晶体管工作在放大区时，发射结为____

答案: 正向偏置      

8、 晶体管工作在饱和区时，集电结为____

答案: 正向偏置

9、 用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。

答案: 放大

10、 用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。

答案: 放大

11、 用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。

答案: 放大

12、 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于____

答案: 杂质浓度

13、 电路如图所示，ui=0.1sinwt(V)，当直流电源电压V增大时，二极管rd的动态电阻将____。

答案: 减小

14、 随着温度升高，晶体管的共射输出特性曲线将___

答案: 上移

15、 在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.22mA、0.02mA、1.2mA。由此可判断电极①是

答案: 发射极

16、 设图中的二极管和三极管均为硅管，三极管的β均为100，试判断三极管的工作状态

答案: 截止

17、 在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于____

答案: 温度

18、 电路如图1所示，ui=5sinwt(V)二极管可视为理想二极管。分析以下情况中uo的波形，从以下四种波形中选择正确答案填空。UDC＝0V，   波形如图____所示。

答案:

19、 场效应管栅极的静态输入电流比双极型晶体管基极的静态输入电流_____

答案: 小

20、 在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.2mA、－0.03mA、1.23mA。电极①是____

答案: 集电极

21、 设图中的二极管和三极管均为硅管，三极管的β均为100，试判断三极管的工作状态

答案: 放大

22、 在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而____；

答案: 增大 

23、 在保持二极管的正向电流不变的条件下，二极管的正向导通电压随温度升高而____。

答案: 减小

24、 电路如图1所示，ui=5sinwt(V)二极管可视为理想二极管。分析以下情况中uo的波形，从以下四种波形中选择正确答案填空。UDC＝-10V，   波形如图____所示。

答案:

25、 电路如图1所示，ui=5sinwt(V)二极管可视为理想二极管。分析以下情况中uo的波形，从以下四种波形中选择正确答案填空。UDC＝10V，   波形如图____所示。

答案:

26、 稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态，它不允许工作在正向导通状态

答案: 错误

27、 P型半导体带正电，N型半导体带负电。

答案: 错误

28、 场效应管的优点是有很高的输入电阻和很低的输出电阻。

答案: 错误

29、 在P型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N型半导体。（    ）

答案: 正确

30、 PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。

答案: 正确

31、 PN结方程既描写了PN结的正向特性和反向特性，又描写了PN结的反向击穿特性。

答案: 错误

32、 掺杂半导体因含有杂质，所以在制造半导体器件时是没有用处的。

答案: 错误

33、 本征半导体在温度升高后，自由电子和空穴数目都增加，但增量相同。

答案: 正确

34、 小功率场效应晶体管在使用中，其源极和漏极可以互换

答案: 正确

35、 双极型晶体管具有NPN或PNP对称结构，所以发射极和集电极也可以互换

答案: 错误

36、 场效应晶体管是电压控制电流器件

答案: 正确

37、 单极型晶体管交流输入电阻只和交流参数有关和直流参数无关

答案: 错误

38、 锗管PNP管工作在放大状态时其集电结直流偏置电压大于0 

答案: 正确

39、 锗管PNP管工作在饱和状态时，其集电结直流偏置电压大于0 

答案: 错误

40、  N沟道场效应管是靠空穴导电的

答案: 错误

41、 P沟道场效应管是靠空穴导电的

答案: 正确

42、 场效应管的电流放大系数是gm

答案: 错误