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起止时间:2021-09-13到2022-01-15
更新状态:每周周末更新
引言 绪论
1、 在模拟电路中半导体器件主要工作在放大（线性区）；数字电路中半导体器件主要工作在开关（非线性区）。
A:正确
B:错误
答案: 正确
2、 常见的半导体器件有二极管、（ ）和场效应管。
答案: 三极管
引言 绪论测验
1、 数字电路的工作状态主要在开关（非线性）区。
A:正确
B:错误
答案: 正确
2、 模拟电路的工作状态主要在放大（线性区）。
A:正确
B:错误
答案: 正确
3、 常见的半导体器件有（）、三极管和场效应管。
答案: 二极管
4、 常见的半导体器件有二极管、（）和场效应管。
答案: 三极管
作业第五讲 双极型晶体管 第一次仿真作业
1、 半导体二极管的单向导电性仿真、稳压管的稳压作用仿真、双极型三极管的电流放大作用仿真。
评分规则: 仿真电路和结果正确
第五讲 双极型晶体管 第一章半导体器件测验
1、 若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为（）。
A:正、反向电阻相等
B:正向电阻大，反向电阻小
C:反向电阻远大于正向电阻
D:正、反向电阻都很大
答案: 反向电阻远大于正向电阻
2、 在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而（）。
A:增大
B:不变
C:减小
D:不确定
答案: 增大
3、 二极管两端电压大于（）电压时，二极管才导通。
A:击穿电压
B:死区
C:饱和
D:0V
答案: 死区
4、 发光二极管的符号是（）。
A:
B:
C:
D:
答案:
5、 在如图所示电路中，计算可得流过二极管的电流ID为（）。（设二极管导通时的正向压降UD=0.7V）。
A: 0mA
B: 3.6mA
C:2.75mA
D: 4.8mA
答案: 0mA
6、 在本征半导体中加入（）元素可形成P型半导体。
A:五价
B:四价
C:三价
D:任意
答案: 三价
7、 半导体中的载流子为（）。
A:电子
B:空穴
C: 正离子
D:电子和空穴
答案: 电子和空穴
8、 在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） 。
A:温度
B:掺杂工艺
C: 杂质浓度
D: 晶体缺陷
答案: 温度
9、 晶体管的开关作用是（）。
A:饱和时集-射极断开，截止时集-射极断开
B:饱和时集-射极断开，截止时集-射极接通
C:饱和时集-射极接通，截止时集-射极断开
D:饱和时集-射极接通，截止时集-射极接通
答案: 饱和时集-射极接通，截止时集-射极断开
10、 双极型晶体管的电流是由（）运动形成的。
A:多子
B:少子
C:多子和少子两种载流子
D:自由电子
答案: 多子和少子两种载流子
11、 晶体管的输出特性描述的是当（）为常数时，（）随（）变化的函数。
A:Ic Ib Uce
B:Ib Ic Uce
C:Uce Ib Ube
D:Uce Ic Ib
答案: Ib Ic Uce
12、 PNP型晶体管的符号是（）。
A:
B:
C:
D:
答案:
13、 NPN型晶体管的符号是（）。
A:
B:
C:
D:
答案:
14、 工作在放大状态的某PNP晶体管，各电极电位关系为（）。
A:VC VB>VE
C:VC VE>VB
答案: VC
15、 当晶体管工作在截止区，发射结和集电结偏置状态应为（）。
A:前者正偏，后者也正偏
B:前者正偏，后者反偏
C:前者反偏，后者正偏
D:前者反偏，后者也反偏
答案: 前者反偏，后者也反偏
16、 晶体管有（ ）个PN结。
A:1
B:2
C:3
D:4
答案: 2
17、 用直流电压表测某电路晶体管的三个电极对地的电压分别如图所示。则1、2、3号管脚分别为（）。
A:BCE
B:EBC
C:CEB
D:CBE
答案: CBE
18、 用直流电压表测某电路晶体管的三个电极对地的电压分别如图所示。则1、2、3号管脚分别为（）。
A:BCE
B:EBC
C: BEC
D:CBE
答案: BEC
19、 稳压二极管的正向特性与普通二极管正向特性基本一致。
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