模拟电子技术(南通大学) 中国大学MOOC答案2024版100分完整版

A:正确
B:错误
答案: 正确

10、 在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。（   ）

A:正确
B:错误
答案: 错误

11、 集成运放构成放大电路不但能放大交流信号，也能放大直流信号。（   ）

A:正确
B:错误
答案: 正确

12、 反相输入式集成运放的虚地可以直接接地。（   ）

A:正确
B:错误
答案: 错误

13、 只要集成运放引入正反馈，就一定工作在非线性区。（   ）

A:正确
B:错误
答案: 错误

14、 集成运算放大电路未接反馈电路时的电压放大倍数称为开环电压增益。（   ）

A:正确
B:错误
答案: 正确

15、 集成运算放大器在开环状态下，输入与输出之间存在线性关系。（    ）

A:正确
B:错误
答案: 错误

16、 集成运算放大电路使用时不接负反馈，电路中的电压增益称为开环电压增益。（    ）

A:正确
B:错误
答案: 错误

17、 理想集成运放开环差模输入电阻ri =      。
答案: 无穷大

18、 理想集成运放开环差模输出电阻ro=      。
答案: 0

19、  集成运算放大器的同相输入端的信号电压与输出端信号        。
答案: 相同

20、  集成运算放大器的反相输入端的信号电压与输出端信号        。
答案: 相反

21、          比例放大电路中存在虚地现象。
答案: 反相

22、 设图中的运放为理想器件，图中电路输出电压vo=     V。
答案: 6

23、 设图中的运放为理想器件，图中电路输出电压vo=     V。
答案: 6

24、 设图中的运放为理想器件，图中电路输出电压vo=     V。
答案: 2

25、 设图中的运放为理想器件，图中电路输出电压vo=     V。
答案: 2

作业第2章 运算放大器 第2章 单元作业

1、
评分规则:  

2、
评分规则:  结合虚短与虚断的概念判断

3、
评分规则:  

4、 电路如图所示，为一增益线性调节运放电路，试求出该电路的电压增益Av =vo/(vi1 -vi2  ) 的表达式。
评分规则:  判断A1、A2是电压跟随器，有：vo1=vi1，vo2=vi2，利用虚短和虚断概念，有将上述方程组联立求解，得故：评分标准：判断电压跟随器4分；利用虚短和虚断概念建立公式12分，每个公式3分；求解公式4分，共20分。若思路正确，但是公式中遗漏个别电阻，则扣3分。

5、  加减运算电路如图所示，求输出电压vo的表达式。
评分规则:  应用虚短的概念和叠加原理，令vi3=vi4=0。再令vi1=vi2=0vo’和vo”叠加得到总的输出电压评分指导：虚短虚断概念2分，求vo’3分，求vp 5分，求vo”5分，求总的输出电压vo：5分。注意：求vo’时，公式写对得2分，答案写对得1分；求vp、vo”和vo时，公式写对得3分，答案写对得2分。

6、
评分规则:  

第3章 二极管及其基本电路 第3章 单元测验

1、 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（  ），而少数载流子的浓度与（  ）有很大关系。

A:杂质浓度；环境温度；
B:环境温度；杂质浓度；
C:杂质浓度；外加电场；
D:杂质价态；杂质浓度；
答案: 杂质浓度；环境温度；

2、 当PN结外加正向电压时，扩散电流       漂移电流，耗尽层       ；当外加反向电压时，扩散电流       漂移电流，耗尽层       。

A:大于，变宽，小于，变窄；
B:大于，变窄，小于，变宽；
C:小于，变窄，大于，变宽；
D:小于，变宽，大于，变窄。
答案: 大于，变窄，小于，变宽；

3、 PN结正偏时，其电容效应主要体现为    。

A:扩散电容；
B:势垒电容和扩散电容；
C:势垒电容；
D:耗尽电容；
答案: 扩散电容；

4、 二极管加正向电压时，其正向电流是由（ ）。

A:多数载流子扩散形成;
B:多数载流子漂移形成;
C:少数载流子漂移形成;
D:少数载流子扩散形成；
答案: 多数载流子扩散形成;

5、 2. 二极管两端电压大于    电压时，二极管才导通。

A:导通;
B:击穿;
C:门坎;
D:饱和；
答案: 门坎;

6、 稳压二极管工作时，处于   状态。

A:正向导通
B:反向截止
C:齐纳击穿
D:雪崩击穿
答案: 齐纳击穿

7、 下图中所示的二极管等效电路模型，对应的是         。

A:理想模型；
B:恒压降模型；
C:折线模型；
D:小信号模型；
答案: 恒压降模型；

8、 下图描述了小信号模型的V-I特性和电路模型，关于二极管小信号模型，描述错误的是（   ）。

A:小信号模型适用于二极管电压电流在Q点附近小范围变化状况下；
B: 小信号模型建立在二极管正向导通状态下；
C:rd跟静态工作点相关；
D: rd跟二极管生产参数相关，常温下为一恒定值。
答案:  rd跟二极管生产参数相关，常温下为一恒定值。

9、 如图所示的限幅电路,VREF=3V，vI=0V和4V时，二极管采用理想模型，对应输出电压vo为（   ）。

A:0V,4V;
B:0V,0V;
C:0V,3V;
D:0V,3.7V;
答案: 0V,3V;

10、 如图所示的开关电路，二极管采用理想模型，vI1=0V，vI2=5V，则二极管D1，D2工作状态和vo的值为（）。

A:导通，导通，0V；
B:导通，截止，0V；
C:截止，导通，5V；
D:截止，截止，5V；
答案: 导通，截止，0V；

11、 下列二极管中，利用二极管正向特性的是（ ）。

A:齐纳二极管
B:变容二极管
C:光电二极管
D:发光二极管
答案: 发光二极管

12、 在N型半导体中，掺入高浓度的三价元素杂质，可以改为P型半导体（ ）。

A:正确
B:错误
答案: 正确

13、 扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，杂质浓度越大，扩散电流越大。

A:正确
B:错误
答案: 错误

14、 本征激发过程中，激发与符合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。

A:正确
B:错误
答案: 错误

15、 温度升高时，PN结的反向饱和电流将减小。

A:正确
B:错误
答案: 错误

16、 PN结在无光照无外加电压时，结电流为0。

A:正确
B:错误
答案: 正确

17、 雪崩击穿属于电击穿，是可逆的。

A:正确
B:错误
答案: 正确

18、 点接触型二极管的结面积小，所以允许的工作频率较高（  ）。

A:正确
B:错误
答案: 正确

19、 对于理想二极管，当其正偏时，结电阻为零，导通压降为零；当其反偏时，结电阻为无穷大，流过的电流为零；（ ）

A:正确
B:错误
答案: 正确

20、 PN结加正向电压时，空间电荷区将     。
答案: 变窄

21、 在N型半导体中       为多数载流子，       为少数载流子。
答案: 电子，空穴

22、 稳压二极管利用的是      击穿原理。
答案: 齐纳

作业第3章 二极管及其基本电路 第3章 单元作业

1、
评分规则:  评分标准：每错一处扣5分；如果未标注3V或5V的幅值，每缺一个扣10分。

2、
评分规则:  评分标准：每小题5分。

3、
评分规则:  提示：判断时假设二极管断开。

4、
评分规则:  评分标准：每小题15分，每题中每错一处扣5分。

第4章 双极结型三极管及其放大电路 第4章 单元测验

1、 BJT的电流分配关系中，下面描述错误的是（  ）。 

A:IC=βIB；
B:IE=IC+IB；
C: IE =（1+β）IB；
D:IB =IC
答案: IB =IC

2、 BJT 正常放大时，应工作于（ ）

A:饱和区；
B:放大区；
C:截止区；
D:线性区；
答案: 放大区；

3、 下面组态中，属于共集电极组态的是（   ）

A:
B:
C:
D:
答案:

4、 下列图示的三极管，一定处于放大区的是（  ）。

A:
B:
C:
D:
答案:

5、 静态工作点过低，会引起（ ）。

A:饱和失真
B:截止失真
C:顶部失真
D:线性失真
答案: 截止失真

6、 某三极管处于放大状态，三个电极A、B、C的点位分别是-9V、-6V和-6.2V，则三极管的集电极是    ，基极是    ，发射极是    ，三极管由    材料制成。

A:A，B，C，硅
B:A，C，B，锗
C:B，A，C，锗
D:C，A，B，硅
答案: A，C，B，锗

7、 图中给出了某单管共射极放大电路中三极管的输出特性和交、直流负载线，从图中可以得出Vcc、IBQ、β的值分别为（  ）。

A:6V，20µA，50
B:4.5V，20µA，100
C:4.5V，1000µA，50
D:6V，20µA，100
答案: 6V，20µA，50

8、 BJT三极管的三个工作区域分别是     、     和     。（  ）

A:饱和区、放大区、截止区
B:线性区、饱和区、截止区
C:可变电阻区、饱和区、截止区
D:安全区、放大区、线性区
答案: 饱和区、放大区、截止区

9、 下面关于放大器的说法，错误的是（  ）。

A:放大器的放大倍数反应放大器信号放大的能力。
B:输入电阻反应了放大器带负载的能力。
C:输出电阻反映了放大器驱动负载的能力。
D:在放大器的分析中，存在静态和动态两种状态。
答案: 输入电阻反应了放大器带负载的能力。

10、 温度升高，BJT的β值增大。（ ）

A:正确
B:错误
答案: 正确

11、 BJT小信号模型可看作为受控电压源。（ ）

A:正确
B:错误
答案: 错误

12、 不同的静态工作点对应的BJT小信号参数是相同的。（  ）

A:正确
B:错误
答案: 错误

13、 PNP管和NPN管对应的小信号模型是相同的。（ ）

A:正确
B:错误
答案: 正确

14、 环境温度变化是造成放大电路静态工作点不稳定的重要因素。（ ）

A:正确
B:错误
答案: 正确

15、 双极性三极管是指它内部的       有两种。
答案: 载流子

16、 工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为           。
答案: 100

17、 有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的输入电阻      。
答案: 小

18、 NPN三极管输出电压的底部失真都是    失真。
答案: 饱和

19、 三极管工作在放大状态时，其内部两个PN结应满足发射结       ，集电结      。
答案: 正偏，反偏

20、 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以再信号源与低阻负载间接入       组态的放大电路
答案: 共集电极

21、 PNP三极管输出电压的底部失真都是    失真。
答案: 截止

22、 某放大电路在负载开路时的输出电压为5V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为2.5V，这说明该放大电路的输出电阻为     。
答案: 12kΩ

作业第4章 双极结型三极管及其放大电路 第4章 单元作业

1、 测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为VA=-9V，VB=-6V，VC=-6.2V，试分析此BJT是硅管还是锗管？这三个电极哪个是基极b、发射极e、集电极c？并说明此BJT是NPN管还是PNP管。
评分规则:  解答：由于锗BJT的VBE≈ 0.2V或-0.2V，硅BJT的VBE≈ 0.7V或-0.7V，已知BJT的电极B的VB=-6V，电极C的VC=-6.2V，电极A的VA=-9V,又有BJT工作在放大区时，必须保证发射结正偏、集电结反偏，故此BJT是锗管（4分），电极A是集电极（4分），电极B是发射极（4分），电极C是基极（4分），此BJT为PNP管（4分）。

2、 BJT输出特性如图a所示，改BJT接入图b所示的电路，图中Vcc=12V，Rc=1kΩ，在基极电路中用VBB=2.2V和Rb=50串联以代替电流源iB。求该电路中的IBQ、ICQ和VCEQ的值，设VBEQ=0.7V。    
评分规则:  由图a可知，当∆iB=10µA时，∆iC=2mA，故β=∆iC/∆iB=200。（5分）根据图b电路，评分标准：每个小问中，公式占3分，计算占2分。

3、
评分规则:  评分注释：若式中公式正确，计算错误，则扣1分。

4、
评分规则:  评分注释：若式中公式正确，计算错误，则每式扣1分。

5、
评分规则:  评分注释：若式中公式正确，计算错误，则每式扣1分。

第5章 场效应三极管及其放大电路 第5章 单元测验

1、 场效应管是用 ____ 控制漏极电流的。

A:栅源电流
B:栅源电压
C:栅漏电流
D:栅漏电压
答案: 栅源电压

2、 增强型NMOS管的开启电压__ 。

A:大于零
B:小于零
C:等于零
D:大于或小于零都可以
答案: 大于零

3、 下面转移特性对应耗尽型NMOS管的是___。

A:
B:
C:
D:
答案:

4、 下面关于JFET描述正确的是                 。

A:vGS=0，则沟道中无法流过电流
B:P沟道JFET工作时，应满足栅源电压vGS＜0
C:JFET的沟道电流，主要受到栅源电压vGS的影响
D:N沟道JFET工作时，应满足栅源电压vGS＜0
答案: N沟道JFET工作时，应满足栅源电压vGS＜0

5、 7. 下面关于JFET的描述，错误的是___。

A:沟道夹断前，iD与vDS呈近似线性关系
B:沟道夹断前，iD主要受vGS影响
C:沟道夹断后，vDS增大，夹断长度增加
D:沟道夹断后，iD趋于饱和
答案: 沟道夹断前，iD主要受vGS影响

6、 下面关于MOSFET的跨导gm，说法错误的是__。

A:MOSFET跨导是静态参数
B:表征了MOSFET的放大能力
C:表示MOSFET将栅源电压转换为漏极电流的能力
D:随MOSFET工作点变化而变化
答案: MOSFET跨导是静态参数

7、 下面关于MOSFET开启电压，说法正确的是___。

A:增强型NMOSFET开启电压为负
B:耗尽型NMOSFET开启电压为正
C:增强型PMOSFET开启电压为负
D:耗尽型PMOSFET开启电压为正
答案: 增强型PMOSFET开启电压为负

8、 对于N沟道JFET，对应栅源电压vGS ，漏源电压vDS，夹断电压vP，描述正确的是          。

A:vGS=0，vDS=0时，沟道不存在，漏极电流iD=0
B:vGS=0，vDS=∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流iD=0
C:vGS=0，vDS=∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流饱和
D:vGS=0，vDS＞∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流iD继续增大
答案: vGS=0，vDS=∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流饱和

9、 关于场效应管外加电压与导电沟道之间关系说法正确的是____。

A:栅源电压可以使导电沟道呈楔形
B:栅源电压可以使导电沟道呈等宽形
C:漏源电压可以使导电沟道呈楔形
D:漏源电压可以使导电沟道呈等宽形
答案: 栅源电压可以使导电沟道呈等宽形;
漏源电压可以使导电沟道呈楔形

10、 自给偏压电路中，栅极连接电阻Rg的作用是

A:提供偏置电压
B:提供偏置电流
C:防止输入信号短路
D:泄放栅极可能出现的感应电荷，防止管子击穿
答案: 提供偏置电压;
泄放栅极可能出现的感应电荷，防止管子击穿

11、 源极跟随器的输出电阻与           有关。

A:栅极分压电阻Rg
B:直流偏置电压
C:跨导gm
D:源极电阻Rs
答案: 跨导gm;
源极电阻Rs

12、 下面符号对应P沟道场效应管的是 __。

A:
B:
C:
D:
答案: ;

13、 FET属于电流控制器件，BJT属于电压控制器件。

A:正确
B:错误
答案: 错误

14、 对于增强型N沟道MOS管，VGS只能为正。

A:正确
B:错误
答案: 正确

15、 由于场效应管中多数载流子参与导电，所以又称其为双极型的。

A:正确
B:错误
答案: 错误

16、 JFET发生预夹断后，管子的漏极电流加大。

A:正确
B:错误
答案: 错误

17、 JFET实际上是一种耗尽型场效应管。

A:正确
B:错误
答案: 正确

18、 JFET栅极与沟道之间PN结可以正偏，也可以反偏。

A:正确
B:错误
答案: 错误

19、 增强型MOS场效应管由于预先在SiO2绝缘层中掺入了大量的离子，因此存在原始的导电沟道。

A:正确
B:错误
答案: 错误

20、 自给偏置与分压式偏置电路均可适用于耗尽型场效应管。

A:正确
B:错误
答案: 正确

21、 自给偏压式放大电路适合于            场效应管。

A:结型
B:N沟道增强型
C:任意
D:P沟道增强型
答案: 结型

22、 当场效应管的漏极静态电流增大时，它的跨导gm的值将____。

A:增大
B:减小
C:不变
D:不确定
答案: 增大

23、 MOSFET的优点是具有特别高的输出电阻。

A:正确
B:错误
答案: 错误

24、 如果电路中的场效应管工作在放大区，则电路具有可变电阻的特性。

A:正确
B:错误
答案: 错误

25、 当MOS晶体管栅和漏之间的电压差增大时，实际的反型沟道长度逐渐减小，这一效应称为__效应。
答案: 沟道长度调制

26、 JFET的输入电阻比MOSFET的输入电阻_。
答案: 小

27、 MOSFET在正常放大时，从输出特性曲线上看，工作在___区。
答案: (以下答案任选其一都对)饱和;
放大;
饱和放大