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起止时间:2019-11-29到2020-03-31
更新状态:已完结
单元6：薄膜的制备 考一考
1、 光掩模(Mask)制作包括哪些步骤（ ）
A:模版设计
B:曝光
C:显影
D:刻蚀
E: 以上全部
答案: 以上全部
2、 下列属于单晶硅材料制造技术的是( )
A:还原法
B:CZ法
C: 氧化法
D:热蒸发
答案: CZ法
3、 由电子离子原子分子或者自由基等粒子组合的集合体是 ( )
A:等离子体
B:分子体
C:电子体
D: 原子体
答案: 等离子体
4、 LPCVD淀积多晶硅常用温度为600-650℃，采用热分解法，反应方程式为：（ ）。
A:SiCl4→Si+2Cl2
B:SiH4 →Si+2H2
C:Si3N4→3Si+2N2
D:SiH2Cl2→Si+Cl2+H2
答案: SiH4 →Si+2H2
5、 Si3N4薄膜在集成电路中的应用主要有：⑴ 钝化膜 ⑵ 选择氧化 ⑶电容介质 由于氮化硅氧化速率极低，因此被用作（ ）的掩蔽膜。
A:⑴
B: ⑵
C: ⑶
D: ⑴⑵
答案: ⑵
6、 外延生长工艺流程是（ ）。①硅片清洁处理 ②氯化氢气相抛光 ③系统的清洁处理 ④降温取片 ⑤外延生长
A: ①②③④⑤
B: ①②③⑤④
C:③①②⑤④
D:③①②④⑤
答案: ③①②⑤④
7、 通常情况下不会对硅产生化学腐蚀的溶液是 ( )
A:HF
B:KOH
C:NH4OH
D:HF 、HNO3混合液
答案: HF
8、 二氧化硅薄膜在半导体器件生产上的应用有（ ） ⑴ 对杂质的掩蔽作用 ⑵ 对器件表面的保护和钝化作用 ⑶ 用于器件的电绝缘和电隔离 ⑷ 作为电容器的介质材料 ⑸ 作为MOS场效应晶体管的绝缘栅材料
A:⑴⑵
B:⑴⑵⑶
C:⑴⑵⑷⑸
D:⑴⑵⑶⑷⑸
答案: ⑴⑵⑶⑷⑸
9、 以下不属于前烘的作用是（ ）
A:增强胶层与样品的粘附能力
B:在接触式曝光中可以提高胶层与掩膜板接触时的耐磨性能
C:将硅片上覆盖的光刻胶溶剂去除
D:可以提高光刻的分辨率
答案: 可以提高光刻的分辨率
10、 下面哪些说法是正确的（ ） ⑴ 热生长SiO2只能在Si衬底上生长 ⑵ CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上 ⑶ CVD SiO2，衬底硅不参加反应 ⑷ CVD SiO2，温度低
A:⑴⑵
B: ⑵⑷
C:⑴⑵⑷
D: ⑴⑵⑶⑷
答案: ⑴⑵⑶⑷
11、 高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。
A:正确
B:错误
答案: 错误
12、 LPCVD反应是受气体质量传输速度限制的。
A:正确
B:错误
答案: 正确
13、 在半导体产业界第一种类型的CVD是APCVD。
A:正确
B:错误
答案: 正确
14、 对半导体制造来讲，硅片中用得最广的晶体平面是（100）、（110）和（111）。
A:正确
B:错误
答案: 正确
15、 常见的热氧化设备包括立式和卧式两种。
A:正确
B:错误
答案: 正确
16、 晶体中的缺陷有点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷四种形式。
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