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起止时间:2021-03-01到2021-06-30
更新状态:每5天更新一次
第一章 集成电路制造工艺发展概况 第一单元 单元测验
1、 双极型晶体管的制作工艺流程中，一般首先制备的是 ，其次制备的是 ，最后制备的是 。
A:集电区、基区、发射区
B:基区、发射区、集电区
C:栅区、源区、漏区
D:发射区、基区、集电区
答案: 集电区、基区、发射区
2、 集成电路的绝缘介质隔离技术中，最常用的介质是 。
A:二氧化硅
B:氮化硅
C:多晶硅
D:单晶硅
答案: 二氧化硅
3、 常用的电阻率的测试方法是 。
A:四探针法
B:热探针法
C:三探针法
D:范德堡法
答案: 四探针法
4、 少数载流子寿命测试方法是 。
A:光电导衰减法
B:四探针法
C:热探针法
D:范德堡法
答案: 光电导衰减法
5、 确定单晶硅导电类型的方法是 。
A:热探针法
B:四探针法
C:三探针法
D:范德堡法
答案: 热探针法
6、 为了去除表面的杂质、缺陷，进一步去除硅片表面微量的损伤层，需要进行的工艺是 。
A:CMP
B:研磨
C:倒角
D:化学腐蚀
答案: CMP
7、 当前半导体材料 应用最广泛的是 。
A:硅
B:锗
C:砷化镓
D:锗硅材料
答案: 硅
8、 硅片制备过程中 常常采用的定向方法是 。
A:光点定向
B:金刚砂
C:CMP
D:研磨
答案: 光点定向
9、 半导体行业用到的多晶硅纯度一般为 。
A:电子级纯
B:分子级纯
C:原子级纯
D:纳米级纯
答案: 电子级纯
10、 每立方英尺中所含直径大于0.5um颗粒数量小于1000，那么该环境的洁净等级为 。
A:1000级
B:10000级
C:10级
D:100级
答案: 1000级
11、 集成电路，按照功能可以分为 。
A:双极型集成电路、MOS集成电路
B:数模混合集成电路
C:数字集成电路
D:模拟集成电路
答案: 数模混合集成电路;
数字集成电路;
模拟集成电路
12、 集成电路的制造工艺，需要采用隔离技术，常见的隔离方法有 。
A:外延隔离
B:埋层隔离
C:PN结隔离
D:介质隔离
答案: PN结隔离;
介质隔离
13、 制备单晶硅的方法有 。
A:直拉法
B:悬浮区熔法
C:四探针法
D:范德堡法
答案: 直拉法;
悬浮区熔法
14、 单晶硅生长需要满足的条件 。
A:加热，原子重新排列
B:籽晶
C:过冷温度
D:浓度梯度
答案: 加热，原子重新排列;
籽晶;
过冷温度
15、 直拉法制备单晶时，单晶炉中的电气控制系统主要控制的工艺参数有 。
A:温度
B:气压
C:提拉速度
D:转速
答案: 温度;
气压;
提拉速度;
转速
16、 多晶硅的制备方法有 。
A: 三氯氢硅的氢还原法
B:二氯氢硅的氢还原法
C:硅烷的热分解法
D:直拉法
答案: 三氯氢硅的氢还原法;
二氯氢硅的氢还原法;
硅烷的热分解法
17、 直拉法制备硅单晶时，常常含有的杂质包括 。
A:碳
B:氧
C:金属
D:颗粒
答案: 碳;
氧;
金属
18、 半导体材料的特性主要包括 。
A:电阻率的负温度系数比较大
B:电阻率与随杂质或缺陷变关系很大
C:霍尔效应和光点效应明显
D:与金属接触容易出现整流效应
答案: 电阻率的负温度系数比较大;
电阻率与随杂质或缺陷变关系很大;
霍尔效应和光点效应明显;
与金属接触容易出现整流效应
19、 过滤器根据过滤效率一般可分为 。
A:粗过滤器
B:中效过滤器
C:亚高效过滤器
D:高效过滤器
答案: 粗过滤器;
中效过滤器;
亚高效过滤器;
高效过滤器
20、 直拉法制备的单晶直径比较大，杂质也比悬浮区熔法制备的单晶少。
A:正确
B:错误
答案: 错误
21、 剩余不多的多晶硅时，要提高温度和提拉速度，进行收尾拉光，否则容易引起坩埚的破裂。
A:正确
B:错误
答案: 正确
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