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起止时间:2020-02-17到2020-05-08
更新状态:已完结
第四周 准费米能级与非平衡态PN结能带图、大注入对直流特性的影响、PN结的击穿电压 单元测试1
1、 以下不是半导体的是（ ）。
A:硅
B:锗
C:金
D:金刚石
答案: 金刚石
2、 半导体和金属的区别是（ ）。
A:半导体中有导带带，金属中没有
B:金属中有禁带，半导体中没有
C:半导体中有禁带，金属中没有
D:金属中有导带带，半导体中没有
答案: 半导体中有禁带，金属中没有
3、 电子摆脱共价键而形成电子和空穴的过程，就是一个（ ）从价带到导带的量子跃迁过程。
A:电子
B:空穴
C:载流子
D:离子
答案: 电子
4、 受主能级在有电子占据时是（ ），而没有电子占据时则呈电中性
A:电中性
B:离子态
C:正电中心
D:负电中心
答案: 负电中心
5、 在杂质导电情况下，少子浓度与杂质浓度（多子浓度）成（ ）。
A:正比
B:反比
C:相等
D:以上都不对
答案: 反比
6、 半导体的主要特点有（ ）。
A:在纯净的半导体材料中，电导率随温度的上升而指数增加
B:半导体中杂质的种类和数量决定着半导体的电导率，而且在掺杂情况下，温度对电导率的影响较弱
C:在半导体中不可以实现非均匀掺杂
D:光的辐射、高能电子等注入可以影响半导体的电导率
答案: 在纯净的半导体材料中，电导率随温度的上升而指数增加;
半导体中杂质的种类和数量决定着半导体的电导率，而且在掺杂情况下，温度对电导率的影响较弱;
光的辐射、高能电子等注入可以影响半导体的电导率
7、 PN结的空间电荷区的电荷有（ ）。
A:施主离子
B:受主离子
C:电子
D:空穴
答案: 施主离子;
受主离子
8、 PN结的击穿种类有（ ）。
A:雪崩击穿
B:齐纳击穿
C:隧道击穿
D:热击穿
答案: 雪崩击穿;
齐纳击穿;
隧道击穿;
热击穿
9、 载流子有（ ）、（ ）和（ ）三种运动形式
A:漂移
B:扩散
C:产生复合
D:消失
答案: 漂移;
扩散;
产生复合
10、 pn结的种类有
A:合金结
B:生长结
C:扩散或离子注入结
D:场感应结
答案: 合金结;
生长结;
扩散或离子注入结;
场感应结
11、 微量杂质不能显著改变半导体的导电能力
A:正确
B:错误
答案: 错误
12、 实际上，半导体中通常同时含有施主和受主杂质，当施主数量大于受主时，半导体是n型的；反之，当受主数量大于施主时，则是p型的。
A:正确
B:错误
答案: 正确
13、 最低的没有被电子填充的能带称为禁带。
A:正确
B:错误
答案: 错误
14、 在硅或锗中如果同时存在施主和受主杂质时，将相互补偿
A:正确
B:错误
答案: 正确
15、 半导体中同时存在电子和空穴的根本原因是晶格的热振动使电子不断发生从导带到价带的热跃迁。
A:正确
B:错误
答案: 错误
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