第一章 半导体的晶体结构与价键模型 第一章 半导体的晶体结构与价键模型测试题
1、 晶体是指固体材料中的原子有规律的周期性排列。
A:正确
B:错误
答案: 正确
2、 非晶态固体材料中的原子在几个原子的范围内保持着有序性，或称为短程有序。
A:正确
B:错误
答案: 正确
3、 理想晶体由相同的结构单元在空间无限重复排列而构成。
A:正确
B:错误
答案: 正确
4、 密勒指数是描写布喇菲点阵中晶面方位的一组互质的整数。
A:正确
B:错误
答案: 正确
5、 原子最外层的电子称为芯电子。
A:正确
B:错误
答案: 错误
6、 共价键是相邻原子间通过共用自旋方向相同的电子对与原子核间的静电作用形成的。
A:正确
B:错误
答案: 错误
7、 共价键成键的条件是成键原子得失电子的能力差别较大。
A:正确
B:错误
答案: 错误
8、 共价键的数目遵从8-N原则。
A:正确
B:错误
答案: 正确
9、 半导体中有两种载流子。
A:正确
B:错误
答案: 正确
10、 C、Si、Ge晶体都属于闪锌矿型结构。
A:正确
B:错误
答案: 错误
第二章 半导体的电子结构 第二章 半导体的电子结构测试题
1、 德布罗意（De Broglie）波长是普朗克常数（Planck）和粒子的（ ）的比值。
A:动能
B:动量
C:速度
D:势能
答案: 动量
2、 海森伯堡测不准原理是指对于同一粒子不可能同时确定其（ ）动量。
A:动能和动量
B:势能和动量
C:坐标和动量
D:势能和坐标
答案: 坐标和动量
3、 量子化能级是（ ）的能级。
A:分立
B:连续
C:很多
D:很少
答案: 分立
4、 波粒二象性是指微观粒子有时表现为（ ），而有时表现为粒子性。
A:高温性
B:低温性
C:波动性
D:粒子性
答案: 波动性
5、 光照产生的载流子叫（ ）载流子。
A:光生
B:电生
C:热生
D:冷生
答案: 光生
6、 热激发产生的载流子叫（ ）载流子。
A:光生
B:电生
C:热生
D:冷生
答案: 热生
7、 空带上能量最低的允带称为（ ）。
A:价带
B:导带
C:禁带
D: 能带
答案: 导带
8、 价电子所在的允带称为（ ）。
A:价带
B:导带
C:禁带
D:能带
答案: 价带
9、 导带底与价带顶之间的能量区域称为（ ）。
A:价带
B:导带
C:禁带
D:能带
答案: 禁带
10、 禁带宽度是导带底与价带顶之间的能量之（ ）。
A:和
B:差
C:积
D:商
答案: 差
11、 载流子跃迁前后在（ ）所对应的波数(ke)与价带顶所对应波数(kh) 相同的能隙类型称为直接能隙，相应的半导体称为直接能隙半导体。
A:导带底
B:导带顶
C:禁带中
D:禁带外
答案: 导带底
12、 载流子跃迁前后在（ ）所对应的波数(ke)的位置与价带顶所对应波数(kh)不同的能隙类型称为间接能隙，相应的半导体称为间接能隙半导体。
A:导带底
B: 导带顶
C:禁带中
D:禁带外
答案: 导带底
第三章 半导体中的载流子 半导体中的载流子的定性描述”测试题
1、 在纯Si中掺入下列（ ）元素，Si将变为n型半导体。
A:Ca
B:As
C:Ga
D:C
答案: As
2、 在纯Ge中掺入下列（ ）元素，Ge将变为p型半导体。
A:In
B:Si
C:Br
D:N
答案: In
3、 某Si半导体掺有2×10^17cm^-3的硼原子以及 3×10^16cm^-3的磷原子，那么此Si半导体主要是（ ）导电。
A:电子
B:空穴
C:声子
答案: 空穴
4、 对应于n型半导体，电子为 （ ）
A:多子
B:少子
C:中子
D:不确定
答案: 多子
5、 Si材料的主要复合机制是（ ）
A:直接复合
B:间接复合
C:激子复合
D:施主-受主对复合
答案: 间接复合
6、 对应于直接能隙半导体，禁带宽度越宽，发光波长越（ ）
A:长
B:短
C:中间值
D:不确定
答案: 短
7、 对应于p型半导体，平衡状态时，多子、少子和本征载流子之间相互关系为（ ）
A:
B:
C:
D:
答案:
8、 受主杂质在半导体中电离之后带（ ）。
A:正电
B:负电
C:不带电
D:不确定
答案: 负电
9、 施主杂质能级的作用包括以下（ ）
A:提供导带电子
B:复合中心
C:散射中心
D:陷阱
答案: 提供导带电子;
散射中心
10、 根据掺入的杂质类型以及数量，半导体可分为（ ）
A:本征半导体
B:n型半导体
C:p型半导体
D:高度补偿半导体
答案: n型半导体;
p型半导体;
高度补偿半导体
11、 下面（ ）过程属于间接复合的微观过程
A:发射电子
B:发射激子
C:俘获空穴
D:声子发射
答案: 发射电子 ;
俘获空穴
12、 对应于p-Si半导体，室温时，空穴的来源包括（ ）
A:掺入n型杂质
B:掺入p型杂质
C:本征激发
D:引入深能级
答案: 掺入p型杂质;
本征激发
13、 室温下，施主浓度高于受主浓度的非简并半导体是（ ）半导体。
A:N型
B:P型
C:本征
D:补偿
答案: N型;
补偿
第四章 半导体中载流子的定量统计描述 “第四章 半导体载流子的定量统计描述”测试题
1、 室温下，n-Si中的电子浓度为空穴浓度的10000倍，则其费米能级位于（ ）。
A:禁带中线之下
B:禁带中线
C:禁带中线之上
D:施主能级
答案: 禁带中线之上
2、 室温下，非简并Si中的电子浓度等于空穴浓度，则其费米能级位于（ ）。
A:禁带中线附近
B:禁带中线之上
C:禁带中线之下
D:不确定
答案: 禁带中线附近
3、 室温下，p-Si的受主浓度为施主浓度的1.5倍，则其空穴浓度为（ ）。
A:施主浓度的1.5倍
B:施主浓度的1倍
C:施主浓度的0.5倍
D:施主浓度的2倍
答案: 施主浓度的1倍
4、 n-Si的电子浓度为空穴浓度的10000倍，则其本征载流子浓度为空穴浓度的（ ）倍。
A:1
B:10
C:100
D:1000
答案: 100
5、 小注入下，直接复合的载流子的寿命与（ ）成反比。
A:平衡少子浓度
B:非平衡多子浓度
C:平衡多子浓度
D:非平衡少子浓度
答案: 平衡多子浓度
6、 最有效的复合中心在费米能级附近。
A:正确
B:错误
答案: 错误
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