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起止时间:2021-03-07到2021-06-20
更新状态:每5天更新一次
第二部分半导体器件物理基础 第二部分第一次测验
1、 题2-1-1、为纯净的硅材料中掺入硼、铝、铟元素，形成（ ），其多子为（）。
A:P型半导体，空穴
B:P型半导体，电子
C:N型半导体，空穴
D:N型半导体，电子
答案: N型半导体，电子
2、 题2-1-2、 下图为（ ）的剖面图，其衬底一般接（）。
A:NMOS、低电平
B:PMOS、低电平
C:NMOS、高电平
D:PMOS、高电平
答案: NMOS、低电平
3、 题2-1-3、 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。
A:亚阈值区
B:线性区
C:饱和区
D:截止区
答案: 饱和区
4、 题2-1-4、元件符号如图所示，则对应的元件名称分别为（ ）。
A:NMOS、PMOS
B:PMOS、NMOS
C:JFET、NPN
D:NPN、PNP
答案: NMOS、PMOS
5、 题2-1-5、NMOS管工作在饱和区的条件是（ ）。
A:VGS VTH且VDS< (VGS-VTH )
C:VGS (VGS-VTH )
D:VGS>VTH且VDS>(VGS-VTH )
答案: VGS>VTH且VDS>(VGS-VTH )
6、 题2-1-6、下图中的MOS管工作在（）区（假定Vth=0.7V）。
A:截止区
B:深三极管区
C:三极管区
D:饱和区
答案: 饱和区
7、 题2-1-7、已知增强型管的VTN=|VTP|=0.5V，各管脚电位如图所示，则该管子处于（ ）状态。
A:截止
B:线性
C:饱和
D:放大
答案: 线性
8、 题2-1-8、 已知增强型管的VTN=|VTP|=0.5V，各管脚电位如图所示，则该管子处于（ ）状态。
A:线性
B:饱和
C:截止
D:放大
答案: 饱和
9、 题2-1-9、NMOS管子工作在深度线性区的条件为（）。
A:VDS<<2Veff
B:VGS<<2Veff
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