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起止时间:2020-02-17到2020-09-30
更新状态:已完结
第2章 MOS器件物理基础 第二章 测验1
1、 题2-1-1、MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。
A:夹断
B:反型
C:导电
D:耗尽
答案: 夹断
2、 题2-1-2、 MOS管从不导通到导通过程中，最先出现的是（ ）。
A:反型
B:夹断
C:耗尽
D:导通
答案: 耗尽
3、 题2-1-3、 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。
A:亚阈值区
B:深三极管区
C:饱和区
D:三极管区
答案: 饱和区
4、 题2-1-4、PMOS管的导电沟道中依靠（）导电。
A:电子
B:空穴
C:正电荷
D:负电荷
答案: 空穴
5、 题2-1-5、载流子沟道在栅氧层下形成（），源和漏之间“导通”。
A:夹断层
B:反型层
C:导电层
D:耗尽层
答案: 反型层
6、 题2-1-6、下图中的MOS管工作在（）区（假定Vth=0.7V）。
A:截止区
B:深三极管区
C:三极管区
D:饱和区
答案: 饱和区
7、 题2-1-7、在NMOS中，若
, 会使阈值电压（）。
A:增大
B:不变
C:减小
D:可大可小
答案: 增大
8、 题2-1-8、如果MOS管的栅源过驱动电压给定，L越（），输出电流越理想。
A:大
B:小
C:近似于W
D:精确
答案: 大
9、 题2-1-9、（）表征了MOS器件的灵敏度，即检测输入电压转换为输出电流的能力。
A:
B:
C:
D:
答案:
10、 题2-1-10、MOS管的小信号输出电阻
是由MOS管的（）效应产生的。
A:体
B:衬偏
C:沟长调制
D:亚阈值导通
答案: 沟长调制
11、 以下条件___是NMOS管工作于线性区的条件。
A:
B:
C:
D:
答案:
12、 增强型NMOS转移特性曲线是___。
A:
B:
C:
D:
答案:
13、 MOS晶体管的电学本质：电压控制电流源。
A:正确
B:错误
答案: 正确
第3章 单级放大器 第三章第一次测验
1、 题4-1-1、随着微电子工艺水平提高, 特征尺寸不断减小, 这时电路的工作电压通常会（） 。
A:不断提高
B:不变
C:可大可小
D:不断降低
答案: 不断降低
2、 题4-1-2、在当今的集成电路制造工艺中，（）工艺制造的IC最容易实现尺寸的按比例缩小。
A:MOS
B:CMOS
C:Bipolar
D:BiCMOS
答案: CMOS
3、 题4-1-3、最常见的集成电路通常采用（）工艺制造。
A:MOS
B:CMOS
C:Bipolar
D:BiCMOS
答案: CMOS
4、 题4-1-4、电阻负载共源级放大器中，下列措施不能提高放大器小信号增益的是（）。
A:增大器件宽长比
B:增大负载电阻
C:降低输入信号直流电平
D:增大器件的沟道长度L
答案: 增大器件的沟道长度L
5、 题4-1-5、下面几种电路中增益线性度最好的是（）。
A:电阻负载共源级放大器
B:电流源负载共源级放大器
C:二极管负载共源级放大器
D:源极负反馈共源级放大器
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