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第五周 PN结的势垒电容、PN结的扩散电容、PN结的开关特性 单元测验半导体器件基本方程及PN结的基本知识
1、 PN结中冶金结的含义是( )。
答案: 界面
2、 反向偏置的PN结，靠近耗尽层边界的中性区内会发生（ ）过程。
答案: 产生和扩散
3、 理想PN结的电流是（ ）。
答案: 少子扩散电流
4、 对PN+结，扩散电容上的电荷主要是储存在（ ）的非平衡载流子电荷。
答案: P型中性区
5、 为了使稳压二极管的击穿电压尽量不受温度的影响，可以通过适当选择PN结的杂质浓度分布，使其击穿电压处于两种击穿机构兼有的范围，原因是雪崩击穿具有（ ）而齐纳击穿具有与之相反的特性。
答案: 正温度系数
6、 PN结的空间电荷区的电荷有（ ）。
答案: 施主离子;
受主离子
7、 PN结中有很多参数或性能都由低掺杂一侧的掺杂浓度确定的，下面（ ）就是这样的。
答案: 空间电荷区宽度;
势垒电容;
反向饱和电流;
反向恢复过程
8、 正向偏置的PN结，在靠近耗尽层边界的中性区内的少子具有（ ）特点。
答案: 浓度高于平衡态少子浓度;
一边扩散一边复合
9、 PN结的击穿种类有（ ）。
答案: 雪崩击穿;
齐纳击穿;
隧道击穿;
热击穿
10、 PN结之所以具有反向恢复过程是由于（ ）。
答案: 反向电流的抽取需要时间;
少子的复合需要时间;
中性区有少子电荷存储
11、 冶金结附近的空间电荷是由p型一侧电子和n型一侧空穴的积累引起的。
答案: 错误
12、 通常的内建电势小于禁带宽度对应的电压值。
答案: 正确
13、 通过引入耗尽近似，耗尽层内部的电荷密度完全正比于净杂质浓度。
答案: 正确
14、 欧姆接触降低了结的内建电压。
答案: 正确
15、 根据耗尽近似得到的结，电场强度正好在冶金结分界处达到最大值。
答案: 正确
16、 假设一个p+n突变结，且
，则有
。
答案: 正确
17、 PN结的p型和n型间的势垒随正向偏压而升高。
答案: 错误
18、 线性缓变结的耗尽层宽度正比于
。
答案: 正确
19、 反向偏置饱和电流可看成是由中性区内少数载流子的产生而导致的。
答案: 正确
20、 减薄p+n突变结的轻掺杂区厚度，不但能减少存储电荷，还能降低反向抽取电流。
答案: 错误
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